12056-07-4
中文名称
铟硒化物
英文名称
INDIUM SELENIDE
CAS
12056-07-4
EINECS 编号
235-016-9
分子式
In2Se3
MDL 编号
MFCD00016147
分子量
466.52
MOL 文件
12056-07-4.mol
更新日期
2023/03/20 19:41:19
12056-07-4 结构式
基本信息
中文别名
铟硒化物硒化铟
硒化铟, 99.99% (METALS BASIS)
英文别名
INDIUM(III) SELENIDEINDIUM SELENIDE
indiumselenide(in2se3)
diindium triselenide
INDIUM(III) SELENIDE, LUMPS
Indium(III) Selenide, Lump
Indium(III) selenide, 99.99% (metals basis)
安全数据
警示词危险
危险性描述H301+H331-H373-H410
危险品标志T,N
危险类别码R23/25-R33-R50/53
危险品运输编号UN 3283 6.1/PG 3
WGK Germany3
TSCAYes
包装类别III
常见问题列表
理化性质
硒化铟是一种无机化合物，化学式为In2Se3。其为黑色晶体或暗黑色鳞片状物质，是典型的二维层状半导体材料。通过In-Se熔融体的X射线衍射研究指出有五种二元化合物，In4Se3、InSe、In6Se7、In3Se4、In2Se3。其中研究最多的是InSe和In2Se3。In2Se3主要包括α、β、γ、δ和κ五种晶体结构。
应用
铟硒化物又叫硒化铟。硒化铟是典型的二维层状半导体材料，带隙范围为1.24-1.54eV，具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明，暴露于环境条件下的二维材料器件由于界面引起的额外的散射而显著的降低了载流子迁移率。作用
高k电介质可以有效的屏蔽二维场效应晶体管的库伦杂质散射(CI)。多层硒化铟晶体管显示出高场效应迁移率，AlO电介质可以降低库伦散射。硒化铟场效应晶体管的电学稳定性在实际应用中起着至关重要的作用，而电学稳定性体现在传输特性的滞后作用中。