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碲化镓

碲化镓, 12024-14-5, 结构式
碲化镓
CAS号:
12024-14-5
英文名:
GALLIUM TELLURIDE
英文别名:
GALLIUM TELLURIDE;II)GALLIUM TELLURIDE;GALLIUM(II) TELLURIDE;Gallium monotelluride;galliumtelluride(gate);Gallium(II) telluride lump;Gallium(II) telluride (GaTe);Gallium(II) telluride 99.999%;GALLIUM TELLURIDE ISO 9001:2015 REACH;Cobalt Silicide (CoSi2) Sputtering Targets
中文名:
碲化镓
中文别名:
碲化镓;一碲化镓;碲化镓(II);碲化镓GATE;碲化镓(II), 痕量分析;碲化镓, 99.999% (METALS BASIS);碲化镓(II), 99.999% (METALS BASIS)
CBNumber:
CB7251382
分子式:
GaH2Te
分子量:
199.34
MOL File:
12024-14-5.mol

碲化镓化学性质

熔点:
824°C
密度:
5.440
形态:
monoclinic crystals
颜色:
monoclinic crystals, crystalline
水溶解性:
Insoluble in water.
敏感性:
Moisture Sensitive
暴露限值:
ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: IDLH 25 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
EPA化学物质信息:
Gallium telluride (GaTe) (12024-14-5)
安全信息
危险品标志: Xn
危险类别码: 22-36/37/38
安全说明: 22-24/25
TSCA: Yes
海关编码: 2853909090

碲化镓性质、用途与生产工艺

简介

碲化镓(GaTe)中阳离子空位对晶体管性能的影响机制,并且通过抑制这种作用,获得了一种高性能的光电晶体管器件。GaTe是一个重要的III-VI族半导体层状化合物材料,直接带隙约1.7eV,在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域极具应用研究价值。然而由于其复杂的单斜晶体结构及晶体的高度各向异性,使其在样品制备及器件加工方面存在一定的困难,目前少有关于GaTe纳米片的光电性能研究。

制备

一种二维碲化镓材料的制备方 法,其特点是采用以下步骤:步骤一、采用垂直布里奇曼晶体生长法,将Ga:Te按物质的量比1:1进行配料,制备GaTe单晶体。步骤二、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内,选取大块表面光 滑无褶皱的GaTe体材料,并沿自然解理面将其分离为多块。步骤三、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内,使用思高胶带从表层光亮、损伤较小的GaTe块体材料表面撕离一块厚度约为6-8μm的GaTe薄片。步骤四、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内,将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离,直至胶带表面不再光亮,成功附着较为密集的数百纳米厚度的GaTe片层。

碲化镓 上下游产品信息

上游原料

下游产品

碲化镓 试剂级价格

更新日期产品编号产品名称CAS编号包装价格
2024/01/16041881碲化镓(II), 99.999% (metals basis)
Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis)
12024-14-51g1618元
2024/01/16041881碲化镓(II), 99.999% (metals basis)
Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis)
12024-14-55g5475元

碲化镓 生产厂家

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北京华美互利生物化工 010-56205725 waley188@sohu.com 中国 12338 58
上海阿拉丁生化科技股份有限公司 400-6206333 18521732826 market@aladdin-e.com 中国 24835 65
成都零六生物科技有限公司 400-1166-196 13458535857 cdhxsj@163.com 中国 13358 58
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