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一氧化硅

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公司名称:百灵威科技有限公司  
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产品介绍:中文名称:氧化硅
英文名称:Silicon(II) oxide, -325 Mesh (99.9%-Si)
CAS:10097-28-6
纯度:99.9% 包装信息:100g,25g 备注:化学试剂、精细化学品、医药中间体、材料中间体
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产品介绍:英文名称:SILICON MONOXIDE
CAS:10097-28-6
纯度:99.9% 包装信息:25g 备注:SIS6970.0
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产品介绍:中文名称:一氧化硅
英文名称:Silicon Monoxide
CAS:10097-28-6
纯度:99% HPLC 包装信息:1Mg ; 5Mg;10Mg ;100Mg;250Mg ;500Mg ;1g;2.5g ;5g ;10g
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产品介绍:中文名称:一氧化硅(II), 光学纯, 99.7% (metals basis)
英文名称:Silicon(II) oxide, Optical Grade, 99.7% (Metals basis)
CAS:10097-28-6
包装信息:50g 备注:089829
公司名称:安耐吉化学(Energy Chemical)  
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产品介绍:中文名称:一氧化硅
英文名称:Silicon Monoxide
CAS:10097-28-6
包装信息:1kg,250g,50g 备注:光学纯99.8%(metalsbasis)
最新发布供应信息
一氧化硅压片 光新镀膜材料_泰州市爱特斯光学材料有限公司
2016/8/29 13:35:20
方形一氧化硅 光新镀膜材料_泰州市爱特斯光学材料有限公司
2016/8/29 13:34:52
一氧化硅
概述 理化性质 制备方法 用途 MSDS 用途与合成方法 一氧化硅价格(试剂级) 上下游产品信息
中文名称:一氧化硅
中文同义词:一氧化硅;氧化亚硅溅射靶;一氧化硅微粉末;氧化硅;氧化亚硅溅射靶, 50.8MM (2.0IN) DIA X 3.18MM (0.125IN) THIC;氧化亚硅溅射靶, 50.8MM (2.0IN) DIA X 6.35MM (0.250IN) THIC;氧化亚硅溅射靶, 76.2MM (3.0IN) DIA X 3.18MM (0.125IN) THIC;氧化亚硅溅射靶, 76.2MM (3.0IN) DIA X 6.35MM (0.250IN) THIC
英文名称:Silicon monoxide
英文同义词:SILICON MONOXIDE;SILICON OXIDE, MONO;SILICON (II) OXIDE;Monox;oxo-silylen;Silylene, oxo-;SiO;silicon monooxide coating quality balzers
CAS号:10097-28-6
分子式:OSi
分子量:44.09
EINECS号:233-232-8
相关类别:Inorganic Chemicals;镀膜材料;无机化工;无机氧化物;Metal and Ceramic Science;Oxides;硅烷试剂;Cn硅化合物及硅酸盐;无机化工产品;无机盐;metal oxide;类金属;催化和无机化学;
Mol文件:10097-28-6.mol
一氧化硅
一氧化硅 性质
熔点 1870 °C
沸点 1880°C
密度 2.13 g/mL at 25 °C(lit.)
折射率 1.9800
闪点 1880°C
form powder
Merck 14,8496
稳定性Stable.
CAS 数据库10097-28-6(CAS DataBase Reference)
NIST化学物质信息Silicon monoxide(10097-28-6)
EPA化学物质信息Silylene, oxo-(10097-28-6)
一氧化硅 用途与合成方法
概述一氧化硅,白色立方系晶体或棕色粉末,不溶于水,溶于稀氢氟酸与硝酸混合液,与沸苛性碱溶液作用生成硅酸盐和氢气,能被卤素氧化,在空气中表面易氧化生成二氧化硅保护膜而变得无活性,高温下有强还原性,能将水蒸气、二氧化碳、石灰石等物质还原;工业上常由二氧化硅与单质硅粉在高真空1400℃以上反应后升华制得;常用于制备光学玻璃和半导体材料。
理化性质白色立方系晶体或棕色粉末。熔点高于1702℃,沸点1880℃,相对密度2.13。硬度与硅相似。红热时也不导电。溶于稀的氢氟酸和硝酸的混合液,亦溶于浓碱溶液,并放出氢生成硅酸盐。不溶于水。在空气中表面易氧化生成二氧化硅保护膜而变得无活性。在高温下有强还原性,能将水蒸气、二氧化碳、石灰石等还原。 300~400℃时与卤素反应。只有在高于1500℃时才能稳定存在。低于1500℃时按下式反应分解。
2SiO=Si+SiO2
制备方法1.由二氧化硅与单质硅粉在高真空1400℃以上反应后升华而得。
SiO2+Si=2SiO
一氧化硅合成工艺流程图
图1为一氧化硅合成工艺流程图
2.由碳和过量的二氧化硅加热到2000℃左右后升华而得。
SiO2+C=SiO+CO
3.在高温下用氢气还原二氧化硅,再经真空升华而制得。
H2+SiO2=SiO+H2O
用途用于制光学玻璃和半导体材料。
有关一氧化硅的概述、理化性质、制备方法、用途是由Chemicalbook的丁红编辑整理(2015-11-16)
化学性质 白色立方体或黄土色无定形粉末,在空气中热处理时,黄土色粉末变成白色粉末。熔点大于1702℃。沸点1880℃。相对密度2.13。不溶于水,溶于稀氢氟酸与硝酸的混酸中。
用途 一氧化硅微粉末因极富有活性,可作为精细陶瓷合成原料,如氮化硅、碳化硅精细陶瓷粉末原料。
用途 用作光学玻璃和半导体材料的制备
用途 作为精细陶瓷原料具有重要价值。也可在真空中将其蒸发,涂在光学仪器用的金属反射镜上作保护膜。还可用于制造半导体材料。也用于光学玻璃。
生产方法 将SiO2含量为99.5%的二氧化硅粉末和煤沥青粉末混合,C/SiO2混合摩尔比为2.0,混合物经减压加热处理,其温度为1600℃,压力为1.013 kPa,经还原反应生成SiO蒸气,通入氩气,将SiO蒸气凝结输送,制成0.1 μm以下的一氧化硅粉末。
SiO2+C→SiO+CO
安全信息
危险品标志 Xi
危险类别码 36/37/38
安全说明 26-36
WGK Germany 3
TSCA Yes
MSDS信息
提供商语言
Silicon monoxide 英文
SigmaAldrich 英文
ALFA 中文
ALFA 英文
一氧化硅 价格(试剂级)
更新日期产品编号产品名称CAS编号包装价格
2016/01/07XW100972861一氧化硅10097-28-625g138元
2016/01/0789829
Silicon(II) oxide, Optical Grade, 99.7% (metals basis)
10097-28-6250g2676元
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