碲化镉

99.9999%碲化镉(CdTe)晶片
1,物理性质：
密度：6.20
熔点：1041℃
禁带宽度：1.46 eV
2，纯度：99.9999%；
3，规格：晶片（wafers)；
4，检测：GDMS，XRD;
5，技术对接：CVD工艺：1molCd+1molTe=1molCdTe,进行二次处理后，再经过引晶，区域熔炼，生长碲化镉单晶--线切割--打磨抛光；
6，服务：提供免费样品，MSDS及实用的防护措施；
7，应用：红外窗场致发光器件，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光器件；
8，包装：明矾分装（取料时只需温水溶化）；

 

公司12年来共研制开发出40余项半导体化合物材料： 碲系化合物： 碲化铜(CuTe)，碲化铟( InTe)，碲化锌(ZnTe)，P/N三碲化二铋(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2)... 硫系化合物： 三硫化二镓(Ga2S3)，二硫化锗(GeS2)，硫化锌(ZnS)，硫化锡(SnS)，三硫化二铟(In2S3)，硫化亚铜（Cu2S）... 无氧硒及硒系化合物: 三硒化二镓(Ga2Se3)，硒化亚铜(Cu2Se)，三硒化二铟(In2Se3)，硒化锌(ZnSe)，硒化铋(Bi2Se3)... 氯系化合物： 无水三氯化铟(InCl3)，无水三氯化镓(GaCl3)，无水氯化亚铟(InCl)... 氧系化合物： 4N-5N三氧化二镓(Ga2O3)，4N-5N氧化锌(ZnO)，5N-6N 三氧化二铟(In2O3)，5N 三氧化二铋(Bi2O3)，4N-5N 三氧化二锑（Sb2O3）... 铜铟镓硒（CIGS