碲化镉(CdTe) 核心技术:1,THM(移动式加热),此工艺适用于CSS(近空间升华技术)制备碲化镉薄膜。 2,CVD(气相合成工艺),此工艺适用于印刷,喷涂,溅射等工艺制备碲化镉薄膜。 碲化镉(CdTe) 1,物理性质: 分子量:240.01 禁带宽度:1.44 eV 折射率:2.57 密度:5.85 g/cm3 熔点:1092℃ 沸点:1130℃ 2,规格: 碲化镉:CdTe-05纯度99.999%以上,银,铝,砷,铋,铜,铁,镁,镍,铅,硒,硅,锌杂质总含量小于10ppm; 碲化镉:CdTe-06纯度99.9999%以上,银,铝,砷,铋,铜,铁,镁,镍,铅,硒,硅杂质总含量小于1ppm. 3,物理性状:黑色块或粉末。 4,用途: 用于制作红外调制器,HgxCd1-xTe衬底,红外窗场致发光器件,光电池,红外探测,X射线探测,核放射性探测器,太阳能电池,接近可见光区的发光器件。 5,包装:涤纶薄膜包装后塑料薄膜真空封装或聚乙烯瓶封装。
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