磷化铟
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- CAS号:
- 22398-80-7
- 英文名:
- INDIUM PHOSPHIDE
- 英文别名:
- InP;polycrystallinelump;indiummonophosphide;Indiumphsophidewafer;Indium monophosphide;INDIUM(III) PHOSPHIDE;INDIUM PHOSPHIDE LUMP;Indium phosphide wafer;Indium phosphide (InP);indiganylidynephosphane
- 中文名:
- 磷化铟
- 中文别名:
- 磷化铟;一磷化铟;磷化铟粉;磷化铟INP;磷化铟晶体INP;磷化铟(III);磷化铟, 多晶块;磷化铟, 99.999% (METALS BASIS);磷化铟, 99.9999% (METALS BASIS);磷化铟, 多晶块, 99.99% (METALS BASIS)
- CBNumber:
- CB2364603
- 分子式:
- InP
- 分子量:
- 145.79
- MOL File:
- 22398-80-7.mol
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磷化铟化学性质
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熔点:
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1070°C
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密度:
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4,787 g/cm3
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溶解度:
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slightly soluble in acid solutions
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形态:
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pieces
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颜色:
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Black
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水溶解性:
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Insoluble in water.
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晶体结构:
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Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
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Merck:
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14,4953
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暴露限值:
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ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: TWA 0.1 mg/m3-
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CAS 数据库:
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22398-80-7(CAS DataBase Reference)
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(IARC)致癌物分类:
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2A (Vol. 86) 2006
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EPA化学物质信息:
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Indium phosphide (InP) (22398-80-7)
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磷化铟性质、用途与生产工艺
化学性质
磷化铟具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数:10.8。电子迁移率:约4600 cm2/V?s。空穴迁移率:约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。
磷化铟是重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料之一,是继硅(Si)、砷化镓(GaAs)之后的新一代微电子、光电子功能材料,其因电子迁移率高、禁带宽度大等特点,被广泛应用于微波及光电器件领域。
用途
用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1.1~1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配,又能满足波长范围的要求。
生产方法
用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法,并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延,多采用In-PCl3-H2系统的歧化法,在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。
气相外延将石英反应管放在双温区电炉中,已净化的高纯氢气经计量通入,氢气也用来稀释三氯化磷,此时彭泡器保持在0℃,通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。
在第一阶段,将盛有铟的石英舟放在电炉中源区,通入氢气并加热到700~850℃,再用氢气将三氯化磷引入,在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。
在第二阶段,铟源保持在原位置不加热,单晶衬底放在电炉的第二加温区后,在氢气氛下加热到600~750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀,清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管,并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入,这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应,在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后,向系统中通入纯氢气,将两个温区冷却到室温,取出产物,制得磷化铟成品。
类别
有毒物品
可燃性危险特性
高热产生有毒磷氧化物烟雾
储运特性
库房通风低温干燥
灭火剂
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
职业标准
TWA 0.1 毫克 (铟)/立方米
磷化铟
上下游产品信息
上游原料
下游产品
更新日期 | 产品编号 | 产品名称 | CAS编号 | 包装 | 价格 |
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2024/01/16 | A15509 | 磷化铟(III), 多晶块, 99.99% (metals basis) Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis) | 22398-80-7 | 1g | 1252元 |
2024/01/16 | A15509 | 磷化铟(III), 多晶块, 99.99% (metals basis) Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis) | 22398-80-7 | 5g | 4442元 |
磷化铟
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