ホスフィニジンインジウム(III)
ホスフィニジンインジウム(III) 物理性質
- 融点 :
- 1070°C
- 比重(密度) :
- 4,787 g/cm3
- 溶解性:
- slightly soluble in acid solutions
- 外見 :
- ピース
- 色:
- 黒
- 水溶解度 :
- 水に不溶。
- Crystal Structure:
- Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
- Merck :
- 14,4953
- 暴露限界値:
- ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
- CAS データベース:
- 22398-80-7(CAS DataBase Reference)
- IARC:
- 2A (Vol. 86) 2006
- EPAの化学物質情報:
- Indium phosphide (InP) (22398-80-7)
安全性情報
- リスクと安全性に関する声明
- 危険有害性情報のコード(GHS)
主な危険性 |
T |
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Sフレーズ |
24/25-45-53 |
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RIDADR |
3288 |
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|
WGK Germany |
3 |
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RTECS 番号 |
NL1800000 |
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|
TSCA |
Yes |
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有毒物質データの |
22398-80-7(Hazardous Substances Data) |
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毒性 |
mouse,LD,intraperitoneal,> 5gm/kg (5000mg/kg),ENDOCRINE: CHANGES IN SPLEEN WEIGHTLUNGS, THORAX, OR RESPIRATION: CHANGES IN LUNG WEIGHTBLOOD: "CHANGES IN SERUM COMPOSITION (E.G., TP, BILIRUBIN, CHOLESTEROL)",Journal of Occupational Health. Vol. 38, Pg. 6, 1996. |
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絵表示(GHS) |
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注意喚起語 |
危険 |
危険有害性情報 |
コード |
危険有害性情報 |
危険有害性クラス |
区分 |
注意喚起語 |
シンボル |
P コード |
H350 |
発がんのおそれ |
発がん性 |
1A, 1B |
危険 |
|
|
H361 |
生殖能または胎児への悪影響のおそれの疑い |
生殖毒性 |
2 |
警告 |
|
P201, P202, P281, P308+P313, P405,P501 |
H372 |
長期にわたる、または反復暴露により臓器の障 害 |
特定標的臓器有害性、単回暴露 |
1 |
危険 |
|
P260, P264, P270, P314, P501 |
|
注意書き |
P201 |
使用前に取扱説明書を入手すること。 |
P308+P313 |
暴露または暴露の懸念がある場合:医師の診断/手当てを 受けること。 |
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ホスフィニジンインジウム(III) 価格
もっと(6)
メーカー |
製品番号 |
製品説明 |
CAS番号 |
包装 |
価格 |
更新時間 |
購入 |
富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01AFAA15509 |
りん化インジウム
Indium Phosphide, Polycrystalline Lump |
22398-80-7 |
1g |
¥22370 |
2024-03-01 |
購入 |
富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01AFAA15509 |
りん化インジウム
Indium Phosphide, Polycrystalline Lump |
22398-80-7 |
5g |
¥85170 |
2024-03-01 |
購入 |
Sigma-Aldrich Japan
|
366870 |
リン化インジウム(III) pieces, 3-20?mesh, 99.998% trace metals basis
Indium(III) phosphide pieces, 3-20?mesh, 99.998% trace metals basis |
22398-80-7 |
1g |
¥31100 |
2024-03-01 |
購入 |
富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01SRM93-4926 |
りん化インジウム(III) (99.999%-In) PURATREM
Indium(III) phosphide (99.999%-In) PURATREM |
22398-80-7 |
1g |
¥95900 |
2024-03-01 |
購入 |
富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01SRM93-4926 |
りん化インジウム(III) (99.999%-In) PURATREM
Indium(III) phosphide (99.999%-In) PURATREM |
22398-80-7 |
5g |
¥381000 |
2024-03-01 |
購入 |
ホスフィニジンインジウム(III) 化学特性,用途語,生産方法
解説
リン化インジウム.インジウムリンともいう.Inとリンとを,封管中または不活性気体や H2 中で加熱反応させるか,InとPCl3またはP2O5を高温に加熱するか,In2O3またはIn2(C2O4)3とPH3を高温で反応させると得られる.金属光沢のある無色~灰色の立方晶系結晶.せん亜鉛鉱型構造.融点1070 ℃.比誘電率10.8.Ⅲ-Ⅴ半導体で,バンドギャップ1.28 eV(330 K).空気中で安定である.水や無機酸に侵されにくい.アルカリ水溶液と加熱すると,ホスフィンを発生して分解する.半導体レーザー,発光ダイオード,IC材,太陽電池の素子などに用いられる.ヒ化ガリウムより電子の走行速度が高く,電界効果トランジスタや,インジウム,ガリウム,ヒ素,リン四元の半導体によるレーザーを成長するための基板に適していることなどから,近年注目されている半導体である。結晶の作製がむずかしく,その良質化が望まれている。インジウム・リンとも呼ばれる。
化学的特性
black crystal(s); 6mm pieces and smaller with 99.999% purity; semiconductor; band gap, eV, 1.42 (0K) and 1.35 (300K); mobility (300K), cm2/(V·s), 4600 electrons and 150 holes; dielectric constant 12.4; effective mass 0.077 electrons and 0.64 holes [KIR82] [CER91] [STR93]
使用
In electronics for research on semiconductors.
ホスフィニジンインジウム(III) 上流と下流の製品情報
原材料
準備製品
ホスフィニジンインジウム(III) 生産企業
Global( 98)Suppliers
ホスフィニジンインジウム(III) スペクトルデータ(Raman)
22398-80-7(ホスフィニジンインジウム(III))キーワード:
- 22398-80-7
- InP
- INDIUM(III) PHOSPHIDE
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- Indium(III) phosphide, 99.9999% (metals basis)
- Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% trace metals basis
- Indium monophosphide
- Indium phosphide (InP)
- indiummonophosphide
- INDIUM(III)PHOSPHIDE(99.999%-IN)PURATREM
- metel basisINDIUM PHOSPHIDE
- INDIUM PHOSPHIDE ISO 9001:2015 REACH
- Indium Phosphorous Nanoparticles
- Indium phosphide (single crystal substrate), (100) ± 0.5o
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- ZnS Quantum Dots-660 nm
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- りん化インジウム(Ⅲ)
- りん化インジウム(III) (99.999%-In) PURATREM