ハフニウム tert-ブトキシド
ハフニウム tert-ブトキシド 物理性質
- 融点 :
- 2℃
- 沸点 :
- 90 °C5 mm Hg(lit.)
- 比重(密度) :
- 1.166 g/mL at 25 °C(lit.)
- 屈折率 :
- n20/D 1.424(lit.)
- 闪点 :
- 83 °F
- 溶解性:
- 炭化水素に可溶、アルコール、ケトン、エステルと反応
- 外見 :
- Liquid
- 比重:
- 1.166
- Hydrolytic Sensitivity:
- 7: reacts slowly with moisture/water
- Sensitive :
- Moisture Sensitive/Light Sensitive
- 暴露限界値:
- ACGIH: TWA 0.5 mg/m3
NIOSH: IDLH 50 mg/m3; TWA 0.5 mg/m3
- CAS データベース:
- 2172-02-3(CAS DataBase Reference)
ハフニウム tert-ブトキシド 価格
もっと(3)
| メーカー |
製品番号 |
製品説明 |
CAS番号 |
包装 |
価格 |
更新時間 |
購入 |
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富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01SRM72-5800 |
ハフニウム(IV) t-ブトキシド
Hafnium(IV) t-Butoxide |
2172-02-3 |
2g |
￥43400 |
2024-03-01 |
購入 |
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富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
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W01SRM72-5800 |
ハフニウム(IV) t-ブトキシド
Hafnium(IV) t-Butoxide |
2172-02-3 |
10g |
￥174200 |
2024-03-01 |
購入 |
|
富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01SRM72-5800 |
ハフニウム(IV) t-ブトキシド
Hafnium(IV) t-Butoxide |
2172-02-3 |
50g |
￥565500 |
2024-03-01 |
購入 |
ハフニウム tert-ブトキシド 化学特性,用途語,生産方法
使用
Hafnium
tert-butoxide [Hf(OtBu)
4] is a mononuclear; volatile; and highly promising precursor for the deposition of HfO
2 and other hafnium doped thin films by vapor deposition techniques. The deposited films show high dielectric constant suitable for semiconductor devices.
一般的な説明
Atomic number of base material: 72 Hafnium
ハフニウム tert-ブトキシド 上流と下流の製品情報
原材料
準備製品
ハフニウム tert-ブトキシド 生産企業
Global( 57)Suppliers
2172-02-3(ハフニウム tert-ブトキシド)キーワード:
- 2172-02-3
- HAFNIUM (IV) T-BUTOXIDE
- HAFNIUM T-BUTOXIDE
- HAFNIUM TERT-BUTOXIDE
- HAFNIUM TETRA-T-BUTOXIDE
- Hafnium(IV) t-butoxide (99.9%-Hf)
- Hafnium tert-butoxide, 99.9% (metals basis excluding Zr), Zr< 0.2%
- Hafnium(IV) tert-butoxide
- Hafnium(IV) tert-butoxide, 99.9% trace metals basis excluding Zr
- HafniuM(IV) t-butoxide (99.9%-Hf, <1.5%-Zr)
- Hafnium tetrakis(t-butoxide)
- Hafnium tetra-tert-butoxide
- Hafnium(4+) tert-butoxide
- Tetrakis(t-butoxy)hafnium
- Tetrakis(tert-butoxy)hafnium
- Tetra-tert-butoxyhafnium
- hafnium(4+):2-methylpropan-2-olate
- 1.5%-Zr)
- Hafnium(IV) t-butoxide (99.9%-Hf, <
- HAFNIUM TERT-BUTOXIDE ISO 9001：2015 REACH
- Hafnium tert-butoxide, 99.99%
- ハフニウム tert-ブトキシド
- ハフニウム(IV) T-ブトキシド