ガリウムアンチモン
ガリウムアンチモン 物理性質
- 融点 :
- 710 °C
980 °C (lit.)
- 比重(密度) :
- 5.619 g/mL at 25 °C
5.62 g/mL at 25 °C (lit.)
- 外見 :
- ピース
- 色:
- brown cubic crystals, crystalline
- 電気抵抗率 (resistivity):
- ~0.1 Ω-cm
- 水溶解度 :
- 水に不溶。
- Crystal Structure:
- Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
- 暴露限界値:
- ACGIH: TWA 0.5 mg/m3
NIOSH: IDLH 50 mg/m3; TWA 0.5 mg/m3
- CAS データベース:
- 12064-03-8(CAS DataBase Reference)
- EPAの化学物質情報:
- Antimony, compd. with gallium (1:1) (12064-03-8)
安全性情報
- リスクと安全性に関する声明
- 危険有害性情報のコード(GHS)
| 主な危険性 |
Xn,N |
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| Rフレーズ |
20/22-51/53 |
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| Sフレーズ |
61 |
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| RIDADR |
UN 1549 6.1/PG 3 |
|
|
| WGK Germany |
2 |
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| TSCA |
Yes |
|
|
| 国連危険物分類 |
6.1 |
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| 容器等級 |
III |
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| HSコード |
2853909090 |
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| 絵表示（GHS） |
 
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| 注意喚起語 |
警告 |
| 危険有害性情報 |
| コード |
危険有害性情報 |
危険有害性クラス |
区分 |
注意喚起語 |
シンボル |
P コード |
| H411 |
長期的影響により水生生物に毒性 |
水生環境有害性、慢性毒性 |
2 |
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| 注意書き |
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ガリウムアンチモン 価格
もっと(3)
| メーカー |
製品番号 |
製品説明 |
CAS番号 |
包装 |
価格 |
更新時間 |
購入 |
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富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01ALF012933 |
アンチモン化ガリウム, 99.99% (metals basis)
Gallium antimonide, 99.99% (metals basis) |
12064-03-8 |
1g |
￥21700 |
2024-03-01 |
購入 |
|
富士フイルム和光純薬株式会社(wako)
|
W01ALF012933 |
アンチモン化ガリウム, 99.99% (metals basis)
Gallium antimonide, 99.99% (metals basis) |
12064-03-8 |
5g |
￥91200 |
2024-03-01 |
購入 |
|
Sigma-Aldrich Japan
|
651478 |
アンチモン化ガリウム (single crystal substrate), <100>, diam. × thickness 2?in. × 0.5?mm
Gallium antimonide (single crystal substrate), <100>, diam. × thickness 2?in. × 0.5?mm |
12064-03-8 |
1ea |
￥161000 |
2021-03-23 |
購入 |
ガリウムアンチモン 化学特性,用途語,生産方法
解説
ガリウムアンチモン,灰白色の金属光沢のある立方晶系結晶．せん亜鉛鉱型構造の(Ⅲ-Ⅴ型)半導体．密度約5.61 g cm－3．融点712 ℃．誘電率15．バンドギャップ0.69 eV(300 K)．空気中で400 ℃ 以上に加熱すると酸化される．水や希酸には侵されない．
森北出版「化学辞典（第2版）
製造
ガリウムアンチモン,ガリウムアンチモンともいう．GaとSbとを水素気流中で，720～730 ℃ に加熱すると得られる．
用途
アンチモン化ガリウム,化合物半導体材(トンネルダイオードなど)に用いられる．
化学的特性
cub; 6mm pieces and smaller with 99.99% purity; band gap, eV, 0.81 (0K), 0.72 (300K); mobility (300K), cm2/(V·s), 5000 for electrons, 850 for holes; effective mass 0.042 for electrons, 0.40 for holes; dielectric constant 15.7; enthalpy of fusion 25.10kJ/mol; used in semiconducting devices; obtained by direct reaction of Ga and Sb at high temp [HAW93] [KIR82] [CER91] [CRC10]
使用
Gallium antimonide (GaSb), when in pure form, is used in semiconductor industries.
Structure and conformation
The space lattice of gallium antimonide (GaSb) belongs to the cubic system, and its zinc blendetype structure has a lattice constant of a=0.6118 nm, Gsa–Sb=0.264 nm.
ガリウムアンチモン 上流と下流の製品情報
原材料
準備製品
ガリウムアンチモン 生産企業
Global( 93)Suppliers
12064-03-8(ガリウムアンチモン)キーワード:
- 12064-03-8
- antimony,compd.withgallium(1:1)
- GALLIUM ANTIMONIDE
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- Gallium antimonide, 99.999%, trace metals basis
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- Gallium Antimonide Nanoparticles / Nanopowder
- Gallium antimonide substrases, diam. × thickness 50.5 mm. × 500 μm
- Gallium antimonide wafers, n-type, <100>, diam. × thickness 76.2 mm × 625 mm
- gallium(III) antimonide
- アンチモン化ガリウム
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- アンチモン化ガリウム（III）