물질구분: 유독물질; 혼합물(제품)함량정보: 무기 안티몬 화합물 및 이를 1% 이상 함유한 혼합물. 다만, 산화 안티몬(Antimony(Ⅴ) pentoxide, Antimony(Ⅳ) tetroxide), 황화안티몬(Antimony(Ⅴ) pentasulfide, Antimony(Ⅲ) trisulfide), 안티몬산(HSbO3) 염류(Antimonic(Ⅴ) acid, salts), 피그먼트 브라운 24(C.I. Pigment Brown 24), 피그먼트 옐로우 53 (C.I. Pigment Yellow 53) 및 이를 함유한 혼합물과 산화안티몬(Antimony(Ⅲ) trioxide)을 함유한 혼합물은 제외
그림문자(GHS):
신호 어:
Warning
유해·위험 문구:
암호
유해·위험 문구
위험 등급
범주
신호 어
그림 문자
P- 코드
H302
삼키면 유해함
급성 독성 물질 - 경구
구분 4
경고
P264, P270, P301+P312, P330, P501
H332
흡입하면 유해함
급성 독성 물질 흡입
구분 4
경고
P261, P271, P304+P340, P312
H411
장기적 영향에 의해 수생생물에 유독함
수생 환경유해성 물질 - 만성
구분 2
예방조치문구:
P261
분진·흄·가스·미스트·증기·...·스프레이의 흡입을 피하시오.
P264
취급 후에는 손을 철저히 씻으시오.
P264
취급 후에는 손을 철저히 씻으시오.
P270
이 제품을 사용할 때에는 먹거나, 마시거나 흡연하지 마시오.
P273
환경으로 배출하지 마시오.
P304+P340
흡입하면 신선한 공기가 있는 곳으로 옮기고 호흡하기 쉬운 자세로 안정을 취하시오.
NFPA 704
0
2
0
인듐 안티모니드 C화학적 특성, 용도, 생산
화학적 성질
Crystalline solid.
물리적 성질
Black cubic crystal; zincblende structure; density 5.775 g/cm3; melts at525°C; density of melt 6.48 g/mL; dielectric constant 15.9; insoluble in water.
용도
In semiconductor electronics. Grown p-n junctions(Indium(III) antimonide) have been made by doping a melt with an acceptor impurity such as zinc or cadmium, and dipping in an n-type crystal. Rate-grown junctions have also been made. Broad-area surface junctions have been produced by out-diffusing antimony in vacuum from the surface of an n-type crystal, producing a p-n junction just inside the surface. Also has photoconductive, photoelectromagnetic, and magnetoresistive properties. Useful as an infrared detector and filter, and in Hall effect devices.
제조 방법
Indium antimonide may be synthesized from its elements by fusion of sto-ichiometric amounts of indium and antimony at elevated temperatures in anevacuated, sealed ampule.
생산 방법
Intermetallic semiconductors of indium are formed from
group III and group V elements, requiring very high purity
of the elements (0.1 ppm).
일반 설명
This product has been enhanced for energy efficiency.
위험도
See indium; antimony.
Structure and conformation
The space lattice of InSb belongs to the cubic system and zinc-blende-type structure called InSb-I
at room temperature and under atmospheric pressure has a lattice constant of a=0.64789 nm and
In–Sb=0.280 nm. A single crystal has cleavage of (110) plane. It transforms to white tin-type
InSb-II at high temperatures and under high pressure.
