氮化铟
中文名称 | 氮化铟 |
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中文同义词 | 氮化铟;氮化铟,99.8%(METALSBASIS);氮化铟(III);一氮化铟 |
英文名称 | INDIUM NITRIDE |
英文同义词 | indiumnitride(inn);INDIUM NITRIDE;INDIUM(III) NITRIDE;INDIUM(III) NITRIDE, 99.9%;Indium nitride, 99.8% (metals basis);Nitriloindium(III);IndiuM nitride (III);Indium mononitride |
CAS号 | 25617-98-5 |
分子式 | InN |
分子量 | 128.82 |
EINECS号 | 247-130-6 |
相关类别 | 金属和陶瓷科学;陶瓷;Catalysis and Inorganic Chemistry;Ceramics;Chemical Synthesis;IndiumMetal and Ceramic Science;Nitrides |
Mol文件 | 25617-98-5.mol |
结构式 | ![]() |
氮化铟 性质
熔点 | ~1900° |
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密度 | 6,88 g/cm3 |
折射率 | 2.92 |
形态 | 六方晶体 |
颜色 | 棕色六方正己烷晶体,结晶 |
晶体结构 | Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc |
EPA化学物质信息 | Indium nitride (InN) (25617-98-5) |
氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料,在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中,氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性,它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质,这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更适合用于制备高频器件,在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有非常独特的优势,尤其在在制备太赫兹器件,化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大的应用价值。步骤S1、提供一衬底,在所述衬底上沉积一层介电薄膜;
步骤S2、对所述介电薄膜进行图案化,得到均匀排列的多个介电凸台;
步骤S3、提供一反应室,将所述形成有介电凸台的衬底放入反应室中并将所述反应室抽真空;
步骤S4、在所述介电凸台及衬底上生长缓冲层,在介电凸台的阻挡下,所述缓冲层的横向生长与纵向生长产生差异,使得所述缓冲层在每一个介电凸台的上方对应形成一个凹槽;
步骤S5、在所述缓冲层上生长氮化铟,得到分别位于所述多个凹槽中的多个氮化铟柱,每一个凹槽中对应形成一个氮化铟柱。
安全信息
WGK Germany | 3 |
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提供商 | 语言 |
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