OFET设备性能
Bottom gate top contact device with silane modified SiO2 dielectric.Processing method spin coating; thermal annealing at 140 °C/ 10 minSemiconductor Type: Mobility: 0.60 cm2/V·sOn/Off Ratio: 10^6 - 10^7
一般描述
PDPP2T-TT-OD是基于噻吩的导电聚合物,其中二酮吡咯并吡咯(DPP)为电子缺陷基团,辛基十二烷基为侧基。其结构含有一个DPP-噻吩和一个可变的联噻吩(2T)。它具有高电荷携带能力,使其可用于开发基于有机电子的设备。
应用
PDPP2T-TT-OD可以用作 π-共轭聚合物,可用于制造各种器件,例如有机薄膜晶体管(OTFT)、光伏电池、聚合物太阳能电池和场效应晶体管(FET)。 Xerox在含有100-300 nm天然SiO2介电质的n-掺杂硅晶片上展示出器件 该介质被十八烷基三氯硅烷自组装单层改性。XSC4p膜通过旋涂(1000 rpm,60秒)0.5–0.7 wt.%的聚合物溶液进行沉积。将薄膜在真空烘箱中于80°C干燥10分钟, 然后在140°C加热退火10分钟。使用荫罩(90微米通道)通过真空蒸发对金源漏极进行沉积。 使用Keithley SCS-4200系统对电气性能进行了表征。所报告的迁移率是四个设备ε的平均饱和迁移率± 标准差
Sigma-Aldrich西格玛奥德里奇(上海)贸易有限公司
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