锑化铟化学式InSb,分子量236.57,熔点525℃,密度5.76-5.78g/cm3,属闪锌矿型结构的直接带隙半导体材料,其主要应用于3-5μm波段的红外探测器、霍耳器件、磁敏器件及太赫兹超材料吸收器的制造
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