电子陶瓷介电用纳米氧化锆 30nm

本产品为高纯单斜纳米氧化锆，一次粒径约30nm，纯度99.9%，氯离子与碱金属杂质受控。作为介电与结构组分加入电子陶瓷配方，可细化晶粒、降低气孔率，提高介电常数稳定性与绝缘电阻，适用于压电陶瓷、热敏电阻与多层陶瓷电容器瓷料。

【技术参数】

【质量检测】

XRD为单斜相，无立方杂相；TEM一次粒径20-40nm；ZrO2+Y2O3等主含量≥99.9%；Cl-≤100ppm、Na2O+K2O≤50ppm；比表面积25-45 m2/g；烧结收缩率批批标定，批次间偏差≤2%。

【应用案例】

1. 压电陶瓷元件：在PZT配方中以1%-3%加入，晶粒均匀细化，机电耦合系数稳定，极化后性能批次一致性好。

2. 热敏电阻（PTC）瓷料：改善晶界结构，室温电阻率分布收窄，耐压与耐老化性能提升。

3. MLCC介质层：与钛酸钡复配，抑制介质层晶粒异常长大，薄层化后可靠性与耐压裕度提高。

4. 固体氧化物燃料电池电解质前驱体：作为8YSZ合成原料，反应活性高，合成温度降低，电解质致密化更容易。