电子灌封用纳米氧化铝 100nm

环氧、有机硅与聚氨酯灌封胶的导热绝缘填料。灌封体系对填料的要求与塑料不同：既要提高导热系数把器件热量导出，又不能把体系黏度推高到无法灌注、不能带入离子杂质影响绝缘。100nm α 相氧化铝经表面处理，吸油值低、在树脂中易润湿分散，可在中低填充量下形成有效导热通路，同时保持灌注流动性，固化后不开裂、不沉降。

【技术参数】

【质量检测】

SEM 观察一次粒径 80-120nm（100nm 标尺，×100,000）；Al2O3 含量≥99.9%；α 相含量≥95%（XRD）；比表面积 8-15 m2/g；Na2O≤0.05%、Fe2O3≤0.02%、Cl-≤20ppm；水萃取液电导率≤50 μS/cm；105℃挥发物≤0.5%；吸油值 20-30 g/100g；D50（树脂分散）≤0.5μm。

【应用案例】

1. IGBT 与功率模块灌封：与 5-10μm 球形填料级配，总填充 65% 时导热系数 1.6-2.0 W/(m·K)，黏度仍满足真空浇注。

2. LED 驱动电源灌封：单组分有机硅体系加 15%-25%，固化后无沉降分层，耐冷热冲击 -40℃~125℃ 500 循环不开裂。

3. 干式变压器与互感器浇注：环氧酸酐体系中使用，局部放电量低于 5pC，绝缘等级达 H 级。

4. 动力电池模组导热灌封：与阻燃剂复配，UL94 V-0，导热 1.2 W/(m·K)，通过 1kV 绝缘耐压。

5. 电容与传感器封装：低离子含量保证长期漏电流稳定。