12024-21-4

基本信息
氧化镓
氧化镓(Ⅲ)
氧化镓, 99.999% (METALS BASIS)
氧化镓, PURATRONIC|R, 99.999% (METALS BASIS)
氧化镓, 99.995% (METALS BASIS)
氧化镓, 99.99% (METALS BASIS)
GALLIUM(III) OXIDE
GALLIUM OXIDE
GALLIUM SESQUIOXIDE
Digallium trioxide
digalliumtrioxide
Ga2-O3
Gallia
Gallium oxide (Ga2O3)
Gallium trioxide
galliumoxide(ga2o3)
galliumtrioxide
Gallium(III) oxide (99.999% Ga) PURATREM
Galliumoxidewhitepowder
GALLIUM(III) OXIDE 99.999+%
Gallium(III) oxide, 99.99+% metals basis
Gallium(III) oxide, 99.99+%
GALLIUM OXIDE, 99.999%
Gallium(III)oxide(99.998%-Ga)PURATREM
gallium(iii) oxide, puratronic
物理化学性质
a/nm | b/nm | c/nm | α/o | β/o | γ/o | V/nm3 |
0.49825 | 0.49825 | 1.3433 | 90 | 90 | 120 | 0.2888 |
安全数据
制备方法
1.向三氯化镓GaCl3的热水溶液中加NaHCO3的高浓热水溶液,煮沸到镓的氢氧化物全部沉淀出来为止。用热水洗涤沉淀至没有Cl-为止,在600℃以上煅烧则得到β-Ga2O3。残留NH4Cl时,在250℃就和Ga2O3反应,生成挥发性GaCl3。
2.这是高纯Ga2O3的制法。以高纯金属Ga为阳极,溶解于5%~20%H2SO4溶液里,向溶液加氨水,冷却,将Ga(NH4)(SO4)2反复结晶,在105℃干燥,在过量氧的条件下在800℃灼烧2h,则得到纯度为9999%~99.9999%的产品。
3.
称取1kg99.9999%的高纯镓放入三颈烧瓶中,加入高纯硝酸,使镓全部溶解,然后过滤,滤液倒入三颈烧瓶中,移至电炉上蒸发(在通风橱中进行),浓缩到接近结晶时,将溶液移置于大号蒸发皿中蒸发至干。将蒸干的Ga(NO3)3放在马弗炉中进行灼烧,温度控制在550℃,灼烧5h,待冷却后取出成品,得1.2kg高纯氧化镓。
12024-21-4(安全特性,毒性,储运)
常见问题列表
氧化镓是一种宽禁带半导体,禁带宽度Eg=4.9eV,其导电性能和发光特性良好,因此,其在光电子器件方面有广阔的应用前景,被用作于Ga基半导体材料的绝缘层,以及紫外线滤光片。这些是氧化镓的传统应用领域,而其在未来的功率、特别是大功率应用场景才是更值得期待的。
Ga 2 O 3 是金属镓的氧化物,同时也是一种半导体化合物。其结晶形态截至目前已确认有α、β、γ、δ、ε五种,其中,β结构最稳定。与Ga 2 O 3 的结晶生长及物性相关的研究大部分围绕β结构展开。研究人员曾试制了金属半导体场效应晶体管,尽管属于未形成保护膜钝化膜的简单结构,但是样品已经显示出耐压高、泄漏电流小的特性。在使用碳化硅和氮化镓制造相同结构的元件时,通常难以达到这些样品的指标。
按β-Ga2O3照晶体生长过程中原料状态的不同,可以将晶体生长方法分为:溶液法、熔体法、气相法、固相法等。熔体法是研究最早也是应用最为广泛的晶体生长方法,也是目前生长β-Ga2O3体块单晶常用的方法。通过熔体法可以生长高质量、低成本的β-Ga2O3体块单晶,其中最为常用的生长方法主要有两种:提拉法和导模法。
知名试剂公司产品信息
Gallium(III) oxide, 99.99+%(12024-21-4)