1303-11-3
中文名称
砷化铟
英文名称
INDIUM ARSENIDE
CAS
1303-11-3
分子式
AsIn
分子量
189.74
MOL 文件
1303-11-3.mol
更新日期
2024/05/10 10:54:10
1303-11-3 结构式
基本信息
中文别名
砷化铟砷化铟(INAS
砷化铟, 99% (METALS BASIS)
砷化铟, 99.9999% (METALS BASIS)
英文别名
indiamarsenideINDIUM ARSENIDE
indium monoarsenide
indiganylidynearsane
indiumarsenide(inas)
Indium arsenide lump
indium(III) arsenide
99.9999%(metalsbasis)
Arsinetriylindium(III)
Indium Arsenide Powder
所属类别
无机化工：金属氧化物物理化学性质
熔点936°C
密度5.69 g/cm3
折射率3.51
溶解度insoluble in acid solutions
形态1.5至9.5mm多晶硅片
颜色Gray
水溶解性Insoluble in water.
晶体结构Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
Merck14,4949
暴露限值ACGIH: TWA 0.01 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: IDLH 5 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3; Ceiling 0.002 mg/m3
NIOSH: IDLH 5 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3; Ceiling 0.002 mg/m3
EPA化学物质信息Indium arsenide (InAs) (1303-11-3)
制备方法
方法1
砷化铟的合成与砷化镓相同，也使用双管电炉。先往一端封闭的石英安瓿中送入装有铟的石英盘，然后加入砷，在5×10-6Torr(1Torr=133.322Pa)下，真空封口。把这个安瓿装铟的部分加热到955℃，装砷的部分加热到560℃。这时砷的蒸气压约为33kPa。
砷在蒸气状态下，与加热到955℃的铟反应，生成InAs。经5～6h后将安瓿从A炉中取出。从盘的前端生成InAs单晶。常见问题列表
应用
砷化铟是一种难于纯化的半导体材料。利用砷化铟-铟铝砷叠层点制备砷化铟纳米环以及制备一种带势垒层结构的砷化铟热光伏电池。制备
一种高效制备高纯砷化铟的方法，该方法是采用气相沉积法，在氩气保护下分别将三氯化铟和三氯化砷在挥发室中加热挥发成蒸汽，通过喷嘴喷入反应室反应，气相沉积生成砷化铟晶体；具体步骤如下：
(1)以氩气为保护气体，将三氯化铟和三氯化砷按摩尔质量比为1：1～1.5：1取料，分别置于第一挥发室1和第二挥发室2中，300～900℃条件下挥发0.5h～12h，使两种物料都处于蒸汽状态；
(2)通过喷嘴将两个挥发室中的三氯化铟和三氯化砷蒸汽分别通过第一喷嘴4和第二喷嘴5同时喷入一个钛材制做的反应室3内，在300～900℃条件下反应2h～5h，气相沉积得到沉积物；剩余挥发气体在常温下加压至600～700kPa或在常压下冷却到-34℃得到液氯；
(3)将所得沉积物加热挥发2h～12h，加热温度为300～900℃、压强为0.5～100KPa，除去残余的氯，冷却，得到纯度大于99.9％的橘黄色的晶体砷化铟。
所述第一挥发室1和第二挥发室2可采用现有技术的金属加热挥发设备，如侧吹式电炉，在电炉的风眼连接对向反应室的喷嘴。反应室也可以采用电加热炉，气相沉积得到沉积物；剩余挥发气体引出反应室，在常温下加压至600～700kPa或在常压下冷却到-34℃得到液氯。