25617-97-4
中文名称
氮化镓
英文名称
GALLIUM NITRIDE
CAS
25617-97-4
EINECS 编号
247-129-0
分子式
GaN
MDL 编号
MFCD00016108
分子量
83.73
MOL 文件
25617-97-4.mol
更新日期
2023/03/20 19:41:20
25617-97-4 结构式
基本信息
中文别名
氮化镓硒化锗
氮化镓, 99.99% (METALS BASIS)
英文别名
GALLIUM(III) NITRIDEGALLIUM NITRIDE
galliummononitride
galliumnitride(gan)
Gallium(III) nitride, 99.99+% metals basis
GALLIUM NITRIDE POWDER
99.99%(metalsbasis)
Gallium Nitride, -100 Mesh
Germanium selenide, 99.99% (metals basis)
Nitrilogallium
物理化学性质
熔点800 °C(lit.)
沸点decomposes at >600℃ [KIR78]
密度6.1
折射率2.70 (27℃)
形态粉末
颜色黄色
水溶解性Slightly soluble in hot concentrated sulfuric acid and hot conc. sodium hydroxide. Insoluble in water and dilute acids.
晶体结构Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc
敏感性湿气敏感
Merck14,4351
稳定性在干燥氩气下储存。对水和湿气敏感。与强氧化剂不相容。
InChIKeyJMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N
EPA化学物质信息Gallium nitride (GaN) (25617-97-4)
25617-97-4(安全特性,毒性,储运)
储运特性
库房通风低温干燥毒性分级
低毒急性毒性
口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LDL0: 5000 毫克/公斤类别
有毒物品灭火剂
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水常见问题列表
第三代半导体材料
第三代半导体材料以氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化锌（ZnO）、金刚石为代表，是5G时代的主要材料，其中氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）的市场和发展空间最大。氮化镓作为第三代半导体材料，有更高的禁带宽度，是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系，下游应用包括微波射频器件(通信基站等)，电力电子器件(电源等)，光电器件(LED照明等)。不过，第三代半导体材料中，受技术与工艺水平限制，氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战，其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底，通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。
实际上，氮化镓（GaN）技术并不是一种新的半导体技术，自1990年起就已经常被用在发光二极管中，但成本昂贵。从制造工艺上来说，氮化镓没有液态，不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶，需要纯靠气体反应合成，而氮气性质非常稳定，镓又是非常稀有的金属（镓是伴生矿，没有形成集中的镓矿，主要从铝土矿中提炼，成本比较高），而且两者反应时间长，速度慢，反应产生的副产物多。生产氮化镓对设备要求又苛刻，技术复杂，产能极低，众多因素叠加影响导致氮化镓单晶材料很贵。
氮化镓价格(试剂级)
| 报价日期 | 产品编号 | 产品名称 | CAS号 | 包装 | 价格 |
| 2024/01/19 | 040218 | 氮化镓(III), 99.99% (metals basis) Gallium(III) nitride, 99.99% (metals basis) | 25617-97-4 | 10g | 3190元 |
| 2024/01/19 | 040218 | 氮化镓(III), 99.99% (metals basis) Gallium(III) nitride, 99.99% (metals basis) | 25617-97-4 | 50g | 14226元 |
| 2021/12/30 | 040218 | 氮化镓(III), 99.99% (metals basis) Gallium(III) nitride, 99.99% (metals basis) | 25617-97-4 | 250g | 45323元 |