酞菁铅的应用

2020/1/9 8:40:58

背景及概述[1][2]

酞菁是是由人工合成出来的大环共轭体系,电子密度均匀,苯环和 C-N 键的键长都非常稳定。酞菁环内有一个直径约 2.7×10-10m 的空腔,如果将空腔处的两个氢原子用金属元素来取代的话,便形成了金属酞菁,目前所有的金属元素和部分非金属元素都可以用来替代中心的氢原子。酞菁被用来当作非线性光学材料使用时,当其浓度很高,金属酞菁的结构会导致分子发生聚集。分子的大量聚集可增加其驰豫到其低能级的概率,缩短了分子留在激发态的时间,降低了非线性吸收的效果。酞菁铅是一种有机半导体材料, 具有良好的化学稳定性和热稳定性,在化工领域有着广泛的应用。

结构

应用[2-3]

酞菁铅是一种有机半导体材料, 具有良好的化学稳定性和热稳定性,其应用举例如下:

1)制备ZnPc/PbPc共混蒸镀薄膜二极管。

近年来,单一的有机材料蒸镀有机薄膜晶体管被广泛的制作和研究。本发明是两种有机材料进行共混蒸镀制作的有机薄膜二极管,这两种有机材料分别为酞菁锌和酞菁铅(ZnPc和PbPc)。ZnPc/?PbPc共混蒸镀薄膜二极管的组成包括:底衬底(1),ITO薄膜电极作为二极管的阳极(2),蒸镀的ZnPc和?PbPc的共混薄膜作为有源层(3),Al薄膜电极作为阴极(4),并且ZnPc和PbPc有3种不同的混合质量比,分别为1:1、4:5和5:4。本发明具有更高地电流密度和更宽地光感应波长带域,可以应用于光传感器的单元、光电传感器阵列器件等广阔的领域。

2)制备酞菁铅薄膜晶体管。

有研究针对酞菁铅(PbPc)拥有良好的光敏特性设计了以有机物酞菁铅作为有源层的TFT,光经ITO照射到有机半导体材料产生激子,并且在内建肖特基电场的作用下转换成光电流,光电流作为驱动电流使输出电流增加。垂直结构的薄膜晶体管较短的导电沟道长度弥补了有机物载流子迁移率低的缺点,提高了晶体管输出电流。通过多次的PbPc真空镀膜获得有机物达到膜厚的温度及时间;并利用射频溅射法溅射氧化铟锡(ITO)薄膜以得到性质的ITO薄膜。

制备有机PbPc垂直结构薄膜晶体管,结构为Cu/PbPc/AI/PbPc/ITO的三明治结构。A1与PbPc形成肖特基接触,Cu/ITO与PbPc形成欧姆接触。利用半导体测试仪对不同有源层厚度的PbPc薄膜晶体管进行测试,工作电流可高达几十微安,其中有源层厚度为40nm时,器件性能较好。整理薄膜晶体管在全波带白光和800nm单色光的照射下的电学特性,光照下的输出电流,转移特性曲线,及有无光照下的电流放大比。在Vce为3V时,全波带白光下放大比在5.23-5.86之间变化,800nm光波下放大比在2.91-3.34之间变化。无光照下放大倍数β为20.23,全波带白光光电流IL为0.910μA,是基极电流的1.59倍,同样800nm单色光光电流IL为0.485μuA,是基极电流的1.30倍;器件的白光放大系数βL为86.87,800nm单色光光放大系数βL为61.42;敏感度分别为 0.1845A/W 及 0.1968A/W。

主要参考资料

[1] 基于酞菁铅和C60的激光防护性能研究

[2] CN201710251562.7 ZnPc/PbPc共混蒸镀薄膜二极管的制备与工作特性

[3] 有机色素酞菁铅薄膜晶体管制备与光敏特性分析

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