二氧化碲

司19年来共研制开发出40余项半导体化合物材料： 碲系化合物： 碲化镉(CdTe), 碲化铅(PbTe), 碲化铜(CuTe)，碲化铟( InTe)， 碲化锌(ZnTe)，P/N三碲化二铋(Bi2Te3)，二氧化碲(TeO2)，碲镉锌 (CdZnTe). 硫系化合物： 硫化铅(PbS)，三硫化二镓(Ga2S3)，二硫化锗(GeS2)，硫化锌(ZnS)，硫化锡(SnS)，三硫化二铟(In2S3) 无氧硒及硒系化合物: 无氧硒(Se)粒，硒化镉(CdSe)，三硒化二镓(Ga2Se3)，硒化亚铜(Cu2Se)，三硒化二铟(In2Se3)，硒化铅(PbSe)，硒化锌(ZnSe)，硒化铋(Bi2Se3). 氯系化合物： 无水三氯化铟(InCl3),无水三氯化镓(GaCl3),无水氯化亚铟(InCl) 氧系化合物： 4N-5N三氧化二镓(Ga2O3),4N-5N氧化锌(ZnO),5N-6N 三氧化二铟(In2O3) 5N 三氧化二铋(Bi2O3) 铜铟镓硒（CIGS）系列材料. 靶材：碲化镉靶，氧化锌靶，氧化锌铝靶，铜铟镓硒靶，三硒化二铟靶，硒化铜靶材。。。 硫化锂 公司现有工艺及设备： 1，电解装置4套：回收电解铜，电解铅锌矿的阳极泥；高纯铟的电解，特别是除去里面的杂质锡。 2, 真空蒸馏装置12套：根据杂质不同的饱和蒸气压，采用真空蒸馏的方法将其去除。