三甲基硅烷((CH3)3SiH)近年来作为半导体领域中的层间绝缘膜、作为成膜原料,其用途逐渐扩大。
高纯三甲基硅烷在半导体行业中是用于沉积硅碳氮（sicn）和类碳化硅膜的前驱体，主要用于沉积低介电常数的铜扩散阻挡层或刻蚀停止层。在集成电路的铜制备工艺中，铜原子或者铜离子容易在热退火或电场条件下扩散至低介电常数介电层中，成为主要污染源。为了防止铜扩散并进一步降低铜互连电介质层的有效介电常数，需要在铜线上沉积低介电常数的硅碳氮扩撒阻挡层将其密封，同时作为下一金属层通孔刻蚀过程中的刻蚀阻挡层。硅碳氮薄膜一般利用三甲基硅烷作为硅源及碳源前驱体，氨气作为氮源，通过pecvd工艺制得。
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