TSA主要用于在先进逻辑技术节点及3D NAND位元线主要氧化物填充,它使用流动式化学气相沉积(FCVD)机台来将硅电介质沉积到浅沟槽隔离技术(STI)中。由于3D NAND在存储层中的堆叠层增长,从而增加存储孔的高度,因此对TSA用量也持续增长。
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