多晶砷化铟(InAs)
原子量:189.74
银灰色固体,闪锌矿结构。
熔点:942 ℃
禁带宽度:0.45 eV
密度:5.56 g/cm3(固)
晶格常数:0.605nm
纯度:4N(99.99%)5N(99.999%)6N(99.9999%)
物理性状:块或粉。
用途:主要用作光导,用于制作InAs单晶及蒸镀材料。InAs单晶可制作霍尔器件,磁阻器件,光纤用激光器,探测器,光,电,磁的传感器。
包装:聚乙烯瓶封装。
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