1.原子层沉积(ALD)与化学气相沉积(CVD)前驱体
用于在基底材料上沉积高介电常数(high-k)的氧化铪(HfO₂)薄膜,替代传统二氧化硅(SiO₂)作为晶体管栅极介质,有效减少漏电流和功耗,适用于45nm及以下先进CMOS工艺
2.半导体器件制造
用于DRAM、RRAM(阻变存储器)、FeRAM(铁电存储器)、FeFET(铁电场效应晶体管)等新型存储器件的绝缘层或功能层制备
在FinFET、GAA(环绕栅极)晶体管等纳米级结构中作为关键材料
3.边缘钝化处理(光伏电池)
在半片太阳能电池切割后,通过ALD/CVD在边缘沉积氧化铪薄膜,减少电学复合和漏电,提升电池转换效率
4.光学与纳米复合材料
可用于制备光学涂层、纳米复合材料等特殊功能薄膜
5.铪基合金与掺杂薄膜
与其他前驱体配合,可沉积稀土掺杂氧化铪(如Ce:HfO₂),拓展至多铁性、铁电性等功能材料领域
上海凌颢金属材料有限公司
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