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黄颖
四(乙基甲基氨基)锆(IV)

四(乙基甲基氨基)锆(IV)

  • 中文名称:四(乙基甲基氨基)锆(IV)
  • CAS No.:175923-04-3
  • 分子式:C12H32N4Zr
  • 分子量:323.63
  • 产品类别: 有机中间体
  • 中文别名:四(乙基甲基氨基)锆(IV),99%;四(乙基甲基氨基)锆(IV);四(甲乙氨基)锆;四(乙基甲基胺基)锆(IV);四(乙基甲基胺基)锆;四(乙基甲氨基)锆;四(甲乙胺)锆;四(甲乙氨基)锆(IV)
  • 用途: 四(乙基甲基氨基)锆(IV)为有机金属衍生物,用作有机中间体,用于有机合成及科研。
最新产品
四(乙基甲基氨基)锆(IV)
四(乙基甲基氨基)锆(IV)
包装:25KG/纸桶
纯度规格:98
产地:
更新日期:2026/04/30
四(乙基甲基氨基)锆(IV) 中文名称 四(乙基甲基氨基)锆(IV) 英文名称 TETRAKIS(ETHYLMETHYLAMINO)ZIRCONIUM 中文别名 四(乙基甲基胺基)锆(IV) CAS RN 175923-04-3 分 子 式 C12H32N4Zr 分 子 量 323.6333 用  途 化工助剂
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武汉弘德悦欣医药科技有限公司
公司:武汉弘德悦欣医药科技有限公司
电话:027-83855391
联系人:吴滨
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网址:https://www.chemicalbook.com/supplier/15361341/
175923-04-3;四(乙基甲基氨基)锆(IV)
175923-04-3;四(乙基甲基氨基)锆(IV)
包装:25Kg
纯度规格:99.999
产地:宝鸡
更新日期:2026/04/30
四(甲乙胺基)锆所属分类:High-K前驱体主要用于CVD、ALD、等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺,是生产ZrO2的前驱体。ZrO2在45nm晶体管的制备中代替二氧化硅,可以显著减少漏电量,还是COMS和动态存储(DRAM)的高k绝缘材料,是目前解决动态存储和高清显示技术难题的最优选材料之一;可作阻变存储器的介质层前驱体;可作锂离子电池正极包覆沉积前驱体。宝鸡市福诺康实业有限公司位于中国...
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宝鸡福诺康实业有限公司
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网址:https://www.chemicalbook.com/ShowSupplierProductsList833244/0.htm
四(甲乙胺基)锆
四(甲乙胺基)锆 工厂
包装:1kg
纯度规格:99%
产地:安徽
更新日期:2026/04/14
四(二甲氨基)锆是一种高性能、对空气敏感的金属有机化合物,是现代微电子工业和先进材料领域的关键前驱体材料。其最主要的价值在于通过ALD/CVD技术沉积高质量的氧化锆等高k介质薄膜,是推动半导体器件持续微缩和性能提升的重要基础材料之一。由于其高反应性,对其储存、运输和操作均有极其严格的要求。
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安徽至善新材料有限公司
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电话:0554-2114112
联系人:魏开举
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四(乙基甲基氨基)锆(IV)
四(乙基甲基氨基)锆(IV)
包装:25千克/桶
纯度规格:99%
产地:
更新日期:2026/03/25
我公司是专业研发生产精细化学品的厂家,公司专注于精细化学品的研发和生产,我公司所生产的医药原料,医药中间体,液晶材料中间体和农化中间体广销海内外欧美发达国家,得到一致的质量好评。 纯度: 99% 水分: 0.10% 含量测定:hplc 缔都工业集团股份有限公司 以创新与发展创造价值 缔都是一家以化学技术为导向的创新型企业,核心能力集中在医药api,医药中间...
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陕西缔都医药化工有限公司
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联系人:安经理
邮件:support@dideu.com
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aladdin 阿拉丁 T283555 四(乙基甲基胺基)锆(IV) 175923-04-3 99%
aladdin 阿拉丁 T283555 四(乙基甲基胺基)锆(IV) 175923-04-3 99%
包装:1g
纯度规格:≥99%
产地:上海
更新日期:2025/11/14
中文名:四(乙基甲基胺基)锆(IV)英文名:Tetrakis(ethylmethylamino)zirconium(IV)纯度:≥99%货号:T283555Cas号:175923-04-3存储温度:避光,室温,充氩运输条件:常规运输产品介绍:查看阿拉丁官网此产品相关对应页面:https://www.aladdin-e.com/zh_cn/T283555.html
¥999.90元
上海阿拉丁生化科技股份有限公司
公司:上海阿拉丁生化科技股份有限公司
电话:18521735133
联系人:阿拉丁
邮件:market@aladdin-e.com
地址:上海市浦东新区新金桥路36号上海国际财富中心南塔16F
网址:http://www.aladdin-e.com
四(甲乙胺基)锆-电子级ALD/CVD前驱体源
四(甲乙胺基)锆-电子级ALD/CVD前驱体源
包装:25g
纯度规格:99.9999%
产地:江苏
更新日期:2024/08/14
对于栅介质层,由于其厚度一般在10nm以下,ALD技术成为制备栅介质层的首选,已经用于Intel 45nm节点的MOS管的制备过程中。相较于CVD、PVD,ALD可以原子级厚度水平控制膜层的沉积,存储介质可通过ALD或CVD技术制成,而ALD具有优越的阶梯覆盖能力,在高深宽比的DRAM中其应用将不断增加。 本公司提供和开发CVD/ALD所需的前驱体源,包括可用于沉积高k栅介质层HfO₂、用于存...
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苏州龙扬生化科技有限公司
公司:苏州龙扬生化科技有限公司
电话:
联系人:龚云龙
邮件:sales@ly-biochem.com
地址:张家港市锦丰镇兴业路2号
网址:http://ly-biochem.com/
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参考《应急管理部等多部门关于加强互联网销售危险化学品安全管理的通知 (应急〔2022〕119号)》《互联网危险物品信息发布管理规定》