397246-14-9
 397246-14-9 结构式
                        397246-14-9 结构式
                    基本信息
(2R)-(叔丁氧羰基氨基)-1,4-丁二醇
(R)-(+)-2-叔丁基羰基氨基-1,4-丁二醇
(R)-(+)-2-叔丁氧羰基氨基-1,4-丁二醇
(R)-(+)-2-(Boc-氨基)-1,4-丁二醇
(R)-(+)-2-(Boc-Amino)-1,4-butanediol
-tert-Butyl (1,4-dihydroxybutan-2-yl)
(2R)-(tert-Butoxycarbonylamino)butane-1,4-diol
(R)-TERT-BUTYL 1,4-DIHYDROXYBUTAN-2-YLCARBAMATE
tert-butyl (R)-(1,4-dihydroxybutan-2-yl)carbamate
tert-butyl N-[(2R)-1,4-dihydroxybutan-2-yl]carbamate
N-(1,4-dihydroxybutan-2-yl)carbamic acid tert-butyl ester
[(1R)-3-Hydroxy-1-(hydroxymethyl)propyl]carbamic acid tert-butyl ester
Carbamic acid, [(1R)-3-hydroxy-1-(hydroxymethyl)propyl]-, 1,1-dimethylethyl
物理化学性质
制备方法
 
428440-11-3
 
397246-14-9
1. 在0-5℃下,将乙酰氯(54.6 mL,0.75 mol)缓慢滴加到乙醇(316 mL)中。滴加完毕后,移除冰浴,将溶液搅拌并升温至室温,继续搅拌30分钟。随后加入D-天冬氨酸(25 g,0.188 mol),将反应混合物回流2小时。反应完成后,将溶液真空浓缩,并在高真空(0.4 mmHg)下过夜干燥,得到化合物2(42 g,99%收率),直接用于下一步。 2. 将Boc2O(44.7 g,0.21 mol)在10分钟内分批加入到化合物2(42 g,0.19 mol)、三甲胺(51.9 mL,0.37 mol)、二恶烷(140 mL)和水(56 mL)的0℃溶液中。加毕,继续搅拌10分钟,移除冰浴,将反应混合物升温至室温并搅拌2小时。反应混合物用乙酸乙酯(150 mL)稀释,依次用0.5N HCl(200 mL×3)洗涤。有机层用硫酸镁干燥,过滤,滤液真空浓缩,得到化合物3(52 g,97%收率),直接用于下一步。 3. 在30分钟内,将NaBH4(54.4 g,1.44 mol)分批加入到化合物3(52 g,86.4 mmol)和乙醇(600 mL)的0℃溶液中。注意反应放热,需小心控制温度。加毕,将反应混合物加热回流1小时。冷却至室温后,反应混合物固化,破碎成浆液后倒入盐水(250 mL)中。过滤,滤液真空浓缩,残余物与乙醚(200 mL×5)剧烈搅拌,倾析合并乙醚层,用硫酸镁干燥,过滤,滤液真空浓缩,得到化合物4(25.2 g,68%收率)。 4. 将叔丁基二苯基氯硅烷(31.9 mL,0.123 mol)加入到化合物4(25.2 g,0.123 mol)和二异丙基乙胺(42.8 mL)的溶液中,室温搅拌24小时。反应溶液用0.5N HCl(150 mL×3)和盐水(150 mL)洗涤,有机层用硫酸镁干燥,过滤,滤液真空浓缩。残余物通过快速柱色谱(硅胶,4:1己烷:EtOAc)纯化,得到化合物5(42 g,77%收率)。 5. 在15分钟内,将碘(24 g,94.7 mmol)分批加入到化合物5(28 g,63.1 mmol)、Ph3P(24.8 g,94.7 mmol)、咪唑(6.4 g,94.7 mmol)、乙醚(450 mL)和乙腈(150 mL)的0℃溶液中。移除冰浴,30分钟内升温至室温。反应完成后(TLC监测,4:1己烷:EtOAc),用水(400 mL)淬灭,分离有机层,水层用乙醚(100 mL)萃取。合并有机层,依次用饱和Na2SO3水溶液(100 mL×2)和盐水(100 mL)洗涤,硫酸镁干燥,过滤,滤液真空浓缩。残余物通过快速柱色谱(硅胶,4:1己烷:EtOAc)纯化,得到化合物6(32 g,92%收率)。
参考文献:
[1] Patent: WO2005/107762, 2005, A2. Location in patent: Page/Page column 266-268
[2] Patent: WO2007/56056, 2007, A2. Location in patent: Page/Page column 76
[3] Patent: WO2017/4609, 2017, A1. Location in patent: Paragraph 0143
 
                        