碲化镓
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- CAS号:
- 12024-14-5
- 英文名:
- GALLIUM TELLURIDE
- 英文别名:
- GALLIUM TELLURIDE;II)GALLIUM TELLURIDE;GALLIUM(II) TELLURIDE;Gallium monotelluride;galliumtelluride(gate);Gallium(II) telluride lump;Gallium(II) telluride (GaTe);Gallium(II) telluride 99.999%;GALLIUM TELLURIDE ISO 9001:2015 REACH;Cobalt Silicide (CoSi2) Sputtering Targets
- 中文名:
- 碲化镓
- 中文别名:
- 碲化镓;一碲化镓;6N碲化镓;5N碲化镓;4N碲化镓;碲化镓(II);碲化镓GATE;碲化镓4N-6N;99.99%碲化镓;99.999%碲化镓
- CBNumber:
- CB7251382
- 分子式:
- GaH2Te
- 分子量:
- 199.34
- MOL File:
- 12024-14-5.mol
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碲化镓化学性质
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熔点:
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824°C
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密度:
-
5.440
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形态:
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monoclinic crystals
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颜色:
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monoclinic crystals, crystalline
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水溶解性:
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Insoluble in water.
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敏感性:
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Moisture Sensitive
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暴露限值:
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ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: IDLH 25 mg/m3; TWA 0.1 mg/m3-
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EPA化学物质信息:
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Gallium telluride (GaTe) (12024-14-5)
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碲化镓性质、用途与生产工艺
碲化镓(GaTe)中阳离子空位对晶体管性能的影响机制,并且通过抑制这种作用,获得了一种高性能的光电晶体管器件。GaTe是一个重要的III-VI族半导体层状化合物材料,直接带隙约1.7eV,在光电子器件、辐射探测器及太阳能电池领域极具应用研究价值。然而由于其复杂的单斜晶体结构及晶体的高度各向异性,使其在样品制备及器件加工方面存在一定的困难,目前少有关于GaTe纳米片的光电性能研究。
一种二维碲化镓材料的制备方
法,其特点是采用以下步骤:步骤一、采用垂直布里奇曼晶体生长法,将Ga:Te按物质的量比1:1进行配料,制备GaTe单晶体。步骤二、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内,选取大块表面光
滑无褶皱的GaTe体材料,并沿自然解理面将其分离为多块。步骤三、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内,使用思高胶带从表层光亮、损伤较小的GaTe块体材料表面撕离一块厚度约为6-8μm的GaTe薄片。步骤四、在Ar气氛下的米开罗那Universal2440-750手套箱内,将带有GaTe薄片的思高胶带多次粘合分离,直至胶带表面不再光亮,成功附着较为密集的数百纳米厚度的GaTe片层。
碲化镓
上下游产品信息
上游原料
下游产品
更新日期 | 产品编号 | 产品名称 | CAS编号 | 包装 | 价格 |
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2024/08/19 | 041881 | 碲化镓(II), 99.999% (metals basis) Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis) | 12024-14-5 | 1g | 1618元 |
2024/08/19 | 041881 | 碲化镓(II), 99.999% (metals basis) Gallium(II) telluride, 99.999% (metals basis) | 12024-14-5 | 5g | 5475元 |
碲化镓
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