炭酸tert-ブチル4-ビニルフェニル
炭酸tert-ブチル4-ビニルフェニル 物理性質
- 融点 :
- 27-29 °C(lit.)
- 沸点 :
- 187 °C(lit.)
- 比重(密度) :
- 1.1101 (rough estimate)
- 屈折率 :
- 1.5090 (estimate)
- 闪点 :
- >230 °F
- InChI:
- InChI=1S/C13H16O3/c1-5-10-6-8-11(9-7-10)15-12(14)16-13(2,3)4/h5-9H,1H2,2-4H3
- InChIKey:
- GJWMYLFHBXEWNZ-UHFFFAOYSA-N
- SMILES:
- C(OC1=CC=C(C=C)C=C1)(=O)OC(C)(C)C
- EPAの化学物質情報:
- Carbonic acid, 1,1-dimethylethyl 4-ethenylphenyl ester (87188-51-0)
炭酸tert-ブチル4-ビニルフェニル 価格
| メーカー |
製品番号 |
製品説明 |
CAS番号 |
包装 |
価格 |
更新時間 |
購入 |
炭酸tert-ブチル4-ビニルフェニル 化学特性,用途語,生産方法
使用
Used as an intermediate in organic synthesis.
主な応用
Tert-Butyl 4-Vinylphenyl Carbonate (tBVPC) could be used to synthesize a terpolymer, which is a novel chemically amplified positive photoresist with methyl methacrylate (MMA)triphenylsulfonium salt methacrylate (TPSMA). In addition, Lithographic performance of a PAG-bound polymer resist based on tert-butyl 4-vinyl phenyl carbonate, n-[p-(t-butyloxycarbonyloxy) phenyl]maleimide terpolymers as a novel chemically amplified resist exhibited a positive working behavior. They showed 0.18 μm line pattern at electron beam lithography to indicate that the polymer bounded PAG resists have a potential to fabricate nanostructures[1].
危険性
Moderately toxic by skin contact. A mild
skin irritant.
炭酸tert-ブチル4-ビニルフェニル 上流と下流の製品情報
原材料
準備製品
炭酸tert-ブチル4-ビニルフェニル 生産企業
Global( 48)Suppliers
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