硒化铟新闻专题
铟硒化物的应用
铟硒化物又叫硒化铟。硒化铟是典型的二维层状半导体材料，带隙范围为1.24-1.54eV，具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明，暴露于环境条件下的二维材料器件由于界面引起的额外的散射而显著的降低了载流子迁移率。
2020/10/18 17:57:02
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硒化铟的制备及应用
CN102534800A公开了一种In2Se3纳米材料的制备方法，包括：将气相In2Se3用载气输送到含有催化剂的基体上，并在所述基体上沉积生长得到In2Se3纳米材料；所述催化剂为金颗粒、金膜或铟膜。本发明使用气相沉积法将气相In2Se3沉积在基体上，在催化剂的催化作用下生长成纳米棒或纳米线，而且控制载气的种类可以控制纳米线的晶相，在氩气、氮气或氦气中沉积生长可以制备主晶相为κ相的In2Se3纳米线，在氢气中沉积生长可以制备α相In2Se3纳米线。
2019/5/6 11:50:31
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