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硒化铟

硒化铟 更多供应商
公司名称: 武汉易泰科技有限公司上海分公司  
联系电话: 18930552037 821-50328103-801
产品介绍: 中文名称:铟硒化物
英文名称:INDIUM SELENIDE
CAS:12056-07-4
纯度:99% HPLC 包装信息:1Mg ; 5Mg;10Mg ;100Mg;250Mg ;500Mg ;1g;2.5g ;5g ;10g
公司名称: 阿法埃莎(中国)化学有限公司  
联系电话: 400-610-6006
产品介绍: 中文名称:硒化铟(III), 99.99% (metals basis)
英文名称:IndiuM(III) selenide, 99.99% (Metals basis)
CAS:12056-07-4
包装信息:5g 备注:088280
公司名称: 萨恩化学技术(上海)有限公司(安徽泽升科技有限公司)  
联系电话: 400-005-6266 021-58432009
产品介绍: 中文名称:硒化铟
英文名称:INDIUM SELENIDE
CAS:12056-07-4
纯度:99.9% trace metals basis 包装信息:1g;5g;25g;100g;1ea 备注:NULL
公司名称: 上海阿拉丁生化科技股份有限公司  
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产品介绍: 中文名称:硒化铟(III)
英文名称:Indium selenide
CAS:12056-07-4
包装信息:451.6RMB/5G 备注:试剂级 块状
公司名称: 上海湄水化工科技有限公司  
联系电话: 021-60549325 18616193163
产品介绍: 中文名称:铟硒化物
英文名称:INDIUM SELENIDE
CAS:12056-07-4
纯度:>98% HPLC 包装信息:100g;500g;1kg;10kg
硒化铟专题
铟硒化物的应用
铟硒化物又叫硒化铟。硒化铟是典型的二维层状半导体材料,带隙范围为1.24-1.54eV,具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明,暴露于环境条件下的二维材料器件由于界
2020/10/18 17:57:02
硒化铟的制备及应用
CN102534800A公开了一种In2Se3纳米材料的制备方法,包括:将气相In2Se3用载气输送到含有催化剂的基体上,并在所述基体上沉积生长得到In2Se3纳米材料;所述催化剂为金颗粒、金膜或铟膜。本发明使用气相沉积法将气相In2Se3沉积在基体上
2019/5/6 11:50:31
硒化铟生产厂家及价格列表
硒化铟_乐山凯亚达光电科技有限公司
价格:¥5200公斤
2021/10/18 14:31:09
三硒化二铟_杭州凯亚达半导体材料有限公司
价格:询价
2020/05/17 16:40:49
硒化铟
应用作用 MSDS 用途与合成方法 硒化铟价格(试剂级) 上下游产品信息 专题
中文名称:硒化铟
中文同义词:铟硒化物;硒化铟;硒化铟, 99.99% (METALS BASIS);硒化铟(III), 痕量分析;三硒化二铟;硒化铟(III), 99.99% (METALS BASIS);硒化铟(III);硒化铟IN2SE3
英文名称:INDIUM SELENIDE
英文同义词:INDIUM(III) SELENIDE;INDIUM SELENIDE;indiumselenide(in2se3);diindium triselenide;Indium(III) Selenide, Lump;Indium(III) selenide, 99.99% (metals basis);INDIUM(III) SELENIDE, LUMPS;Indium selenide/ 99.999%
CAS号:12056-07-4
分子式:In2Se3
分子量:466.52
EINECS号:235-016-9
相关类别:金属和陶瓷科学;硫属化合物;高纯材料;Chalcogenides;Materials Science;Metal and Ceramic Science
Mol文件:12056-07-4.mol
硒化铟
硒化铟 性质
熔点 890°C
密度 5.67 g/mL at 25 °C(lit.)
形态lumps
颜色Silver-gray
水溶解性 Insoluble in water.
CAS 数据库12056-07-4(CAS DataBase Reference)
EPA化学物质信息Indium selenide (In2Se3) (12056-07-4)
硒化铟 用途与合成方法
应用铟硒化物又叫硒化铟。硒化铟是典型的二维层状半导体材料,带隙范围为1.24-1.54eV,具体的带隙范围取决于层数。硒化铟薄膜具有优异的电子和光电特性。对于硒化铟物理性质的研究已经付出了相当大的努力。已有报道已经证明,暴露于环境条件下的二维材料器件由于界面引起的额外的散射而显著的降低了载流子迁移率。
作用高k电介质可以有效的屏蔽二维场效应晶体管的库伦杂质散射(CI)。多层硒化铟晶体管显示出高场效应迁移率,AlO电介质可以降低库伦散射。硒化铟场效应晶体管的电学稳定性在实际应用中起着至关重要的作用,而电学稳定性体现在传输特性的滞后作用中。
安全信息
危险品标志 T,N
危险类别码 23/25-33-50/53
安全说明 20/21-28-45-60-61
危险品运输编号 UN 3283 6.1/PG 3
WGK Germany 3
TSCA Yes
PackingGroup III
MSDS信息
提供商语言
SigmaAldrich 英文
ALFA 中文
ALFA 英文
硒化铟 价格(试剂级)
更新日期产品编号产品名称CAS编号包装价格
2021/02/10088280Indium(III) selenide, 99.99% (metals basis)12056-07-45g1438元
2021/02/10088280Indium(III) selenide, 99.99% (metals basis)12056-07-425g5591元
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