五(二甲氨基)钽(V)主要用作原子层沉积(ALD)和化学气相沉积(CVD)工艺中的前驱体材料。 在集成电路制造中,可作为氮化钽(TaN)薄膜的CVD前体,当接触O2、H2O等介质时会形成氧化钽(Ta2O5)薄膜。
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