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四(二甲胺基)鉿

四(二甲胺基)鉿

  • 中文名称:四(二甲胺基)鉿
  • CAS No.:19782-68-4
  • 分子式:C8H24HfN4
  • 分子量:354.79
  • 产品类别: 胺基金属
  • 中文别名:四(二甲胺基)铪(IV);四(二甲氨基)铪;四(二甲胺基);四(二甲胺基)鉿;四(二甲氨基)铪(IV);四(二甲胺基)铪;四(二甲基氨基)铪;四(二甲基氨基)铪(IV)
  • 用途: 四(二甲胺基)铪(TDMAH)化合物是一类越来越受到关注的材料,用来沉积铪的先驱物。铪氧化物薄膜是很可能用于COMS和下一代 DRAM中的候选高介电常数(高k)绝缘层材料。
最新产品
四(二甲胺基)铪(IV)
四(二甲胺基)铪(IV) 黄金产品
包装:1g
产地:
更新日期:2025/10/09
▼▲ H64174 19782-68-4 MFCD01862473 Tetrakis(dimethylamido)hafnium(IV) 四(二甲胺基)铪(IV) 99%(99.99+%-Hf)
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安徽敦茂新材料科技有限公司
公司:安徽敦茂新材料科技有限公司
电话:13275595566
联系人:赵女士
邮件:domole.infsci@outlook.com
地址:安徽省安庆市大观区凤凰科技园4号楼
网址:http://www.domole.com
四(二甲胺基)铪-电子级ALD/CVD前驱体源
四(二甲胺基)铪-电子级ALD/CVD前驱体源
包装:25g
纯度规格:99.9999%
产地:江苏
更新日期:2024/08/14
对于栅介质层,由于其厚度一般在10nm以下,ALD技术成为制备栅介质层的首选,已经用于Intel 45nm节点的MOS管的制备过程中。相较于CVD、PVD,ALD可以原子级厚度水平控制膜层的沉积,存储介质可通过ALD或CVD技术制成,而ALD具有优越的阶梯覆盖能力,在高深宽比的DRAM中其应用将不断增加。 本公司提供和开发CVD/ALD所需的前驱体源,包括可用于沉积高k栅介质层HfO₂、用于存...
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苏州龙扬生化科技有限公司
公司:苏州龙扬生化科技有限公司
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四(二甲胺基)铪
四(二甲胺基)铪
包装:5 g
纯度规格:99.9995%
产地:
更新日期:2018/12/13
MSDS 1、紧急情况概述 接触水时剧烈反应并放出大量热量,灼伤身体组织,且有毒性,会对人体造成损伤 2、操作及贮存 操作:在惰性气体中进行操作 贮存:贮存在惰性气体中或是完全密封的容器中,存放在通风良好的地方 3、急救措施 如不慎接触到,在使用大量清水冲洗后,需立即送医;如不慎误食或吸入,需立即送医救治 4、消防措施 使用二氧化碳或沙粒进行灭火,不可使用水或泡沫灭火进行灭火
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苏州复纳电子科技有限公司
公司:苏州复纳电子科技有限公司
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