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22398-80-7

中文名称 磷化铟
英文名称 INDIUM PHOSPHIDE
CAS 22398-80-7
EINECS 编号 244-959-5
分子式 InP
MDL 编号 MFCD00016153
分子量 145.79
MOL 文件 22398-80-7.mol
更新日期 2023/03/20 19:41:25
22398-80-7 结构式 22398-80-7 结构式

基本信息

中文别名
磷化铟
磷化铟晶体INP
磷化铟, 99.9999% (METALS BASIS)
磷化铟, 多晶块, 99.99% (METALS BASIS)
磷化铟, 99.999% (METALS BASIS)
英文别名
INDIUM(III) PHOSPHIDE
Indium monophosphide
Indium phosphide (InP)
indiummonophosphide
InP
Indium phosphide (99.999%-In) PURATREM
Indium phosphide wafer
Indiumphosphidemetalsbasispiecesanddownblack
Indiumphosphidepolycrystallinelump
Indiumphsophidewafer
INDIUM(III) PHOSPHIDE, PIECES, 3-20 MESH , 99.998%
Indium phosphide, polycrystalline lump, 99.99%
polycrystallinelump
INDIUM PHOSPHIDE WAFER - 51MM DIA. X 0.35MM
INDIUM PHOSPHIDE LUMP
Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.9999% (metals basis)
Phosphinetriylindium(III)
Phosphinidyneindium(III)
所属类别
无机化工产品: 无机盐: Cm磷化合物及磷酸盐

物理化学性质

外观性状具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数:10.8。电子迁移率:约4600 cm2/V?s。空穴迁移率:约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。
熔点1070°C
密度4,787 g/cm3
溶解度slightly soluble in acid solutions
形态pieces
颜色黑色
水溶解性Insoluble in water.
晶体结构Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
Merck14,4953
暴露限值ACGIH: TWA 0.1 mg/m3
NIOSH: TWA 0.1 mg/m3
(IARC)致癌物分类2A (Vol. 86) 2006

安全数据

危险性符号(GHS)
GHS08
警示词危险
危险性描述H350-H361-H372
防范说明P201-P308+P313
危险品标志T
安全说明S24/25
危险品运输编号3288
WGK Germany3
RTECS号NL1800000
TSCAYes
毒性mouse,LD,intraperitoneal,> 5gm/kg (5000mg/kg),ENDOCRINE: CHANGES IN SPLEEN WEIGHTLUNGS, THORAX, OR RESPIRATION: CHANGES IN LUNG WEIGHTBLOOD: "CHANGES IN SERUM COMPOSITION (E.G., TP, BILIRUBIN, CHOLESTEROL)",Journal of Occupational Health. Vol. 38, Pg. 6, 1996.

应用领域

用途一
用作半导体材料,用于光纤通讯技术,需要1.1~1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配,又能满足波长范围的要求。

制备方法

方法一
用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法,并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延,多采用In-PCl3-H2系统的歧化法,在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。
气相外延将石英反应管放在双温区电炉中,已净化的高纯氢气经计量通入,氢气也用来稀释三氯化磷,此时彭泡器保持在0℃,通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。
在第一阶段,将盛有铟的石英舟放在电炉中源区,通入氢气并加热到700~850℃,再用氢气将三氯化磷引入,在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。
在第二阶段,铟源保持在原位置不加热,单晶衬底放在电炉的第二加温区后,在氢气氛下加热到600~750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀,清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管,并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入,这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应,在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后,向系统中通入纯氢气,将两个温区冷却到室温,取出产物,制得磷化铟成品。

上下游产品信息

22398-80-7(安全特性,毒性,储运)

储运特性
库房通风低温干燥
可燃性危险特性
高热产生有毒磷氧化物烟雾
类别
有毒物品
灭火剂
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
职业标准
TWA 0.1 毫克 (铟)/立方米

图谱信息

磷化铟价格(试剂级)
报价日期产品编号产品名称CAS号包装价格
2024/01/16A15509磷化铟(III), 多晶块, 99.99% (metals basis)
Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis)
22398-80-71g1252元
2024/01/16A15509磷化铟(III), 多晶块, 99.99% (metals basis)
Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis)
22398-80-75g4442元
2024/01/16A15509磷化铟(III), 多晶块, 99.99% (metals basis)
Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis)
22398-80-725g18189元
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