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磷化铟价格

磷化铟 更多供应商 22398-80-7 磷化铟 价格

性状
具有沥青光泽的深灰色晶体。熔点1070℃。熔点下离解压为2.75 Mpa。极微溶于无机酸。介电常数：10.8。电子迁移率：约4600 cm2/V?s。空穴迁移率：约150 cm2/V?s。具有半导体的特性。
所属类别
无机化工产品: 无机盐: Cm磷化合物及磷酸盐
用途与作用
用作半导体材料，用于光纤通讯技术，需要1.1～1.6μm范围内的光源和接受器。在 InP衬底上生长In-GaAsP双异质结激光器既能满足晶格匹配，又能满足波长范围的要求。
合成工艺与制法
用高压单晶炉制备磷化铟单晶是最主要的方法，并用掺等电子杂质的方法降低晶体的位错密度。而气相外延，多采用In-PCl3-H2系统的歧化法，在该工艺中用铟(99.9999%)和三氯化磷(99.999%)之间的反应来生长磷化铟层。
气相外延将石英反应管放在双温区电炉中，已净化的高纯氢气经计量通入，氢气也用来稀释三氯化磷，此时彭泡器保持在0℃，通过反应管内的氢气线速度为14 cm/min。外延生长分为诱个阶段进行。
在第一阶段，将盛有铟的石英舟放在电炉中源区，通入氢气并加热到700～850℃，再用氢气将三氯化磷引入，在铟源上方被还原成磷蒸气和氯化氢。镉化氢与铟反应生成一氯化铟蒸气在管中迁移。磷溶解在铟中直至饱和为止。
在第二阶段，铟源保持在原位置不加热，单晶衬底放在电炉的第二加温区后，在氢气氛下加热到600～750℃。首先用氢气将三氯化磷引入到管内对衬底进行气相腐蚀，清洗衬底表面。再将氢气直接引入反应管，并把源加热到它的过饱和温度(在操作中此温度比衬底晶体的温度高100℃)。然后通过氢气鼓泡将三氯化磷引入，这时磷蒸气与在源区生成的一氯化铟反应，在衬底上淀积生长出磷化铟层。当外延生长完成后，向系统中通入纯氢气，将两个温区冷却到室温，取出产物，制得磷化铟成品。


磷化铟价格(试剂级)

更新日期产品编号品牌产品信息CAS号MDL号规格与纯度包装价格库存信息操作
2024/01/16 A15509 磷化铟(III), 多晶块, 99.99% (metals basis)
Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis) 		22398-80-7 MFCD00016153 1g 1252元 1 详细
2024/01/16 A15509 磷化铟(III), 多晶块, 99.99% (metals basis)
Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis) 		22398-80-7 MFCD00016153 5g 4442元 1 详细
2024/01/16 A15509 磷化铟(III), 多晶块, 99.99% (metals basis)
Indium(III) phosphide, polycrystalline lump, 99.99% (metals basis) 		22398-80-7 MFCD00016153 25g 18189元 0 详细
2024/01/16 36283 磷化铟(III), 99.999% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis) 		22398-80-7 MFCD00016153 1g 2122元 0 详细
2024/01/16 36283 磷化铟(III), 99.999% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.999% (metals basis) 		22398-80-7 MFCD00016153 5g 10650元 0 详细
2024/01/16 13974 磷化铟(III), 99.9999% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.9999% (metals basis) 		22398-80-7 MFCD00016153 1g 1867元 3 详细
2024/01/16 13974 磷化铟(III), 99.9999% (metals basis)
Indium(III) phosphide, 99.9999% (metals basis) 		22398-80-7 MFCD00016153 5g 6848元 0 详细
磷化铟价格（试剂级） 铟价格（试剂级）