氮化镓
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- CAS号:
- 25617-97-4
- 英文名:
- GALLIUM NITRIDE
- 英文别名:
- Nitrilogallium;GALLIUM NITRIDE;galliummononitride;azanylidynegallane;galliumnitride(gan);99.99%(metalsbasis);GALLIUM(III) NITRIDE;Gallium nitride/ 99.9%;GALLIUM NITRIDE POWDER;Gallium nitride/ 99.99%
- 中文名:
- 氮化镓
- 中文别名:
- 氮化镓;一氮化镓;氮化镓粉末;纳米氮化镓;氮化镓(III);氮化镓GAN,微黄色或灰色粉末;氮化镓, 99.99% (METALS BASIS);氮化镓(III), 99.99% (METALS BASIS)
- CBNumber:
- CB2355692
- 分子式:
- GaN
- 分子量:
- 83.73
- MOL File:
- 25617-97-4.mol
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氮化镓化学性质
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熔点:
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800 °C (lit.)
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沸点:
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decomposes at >600℃ [KIR78]
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密度:
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6.1
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折射率:
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2.70 (27℃)
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形态:
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Powder
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颜色:
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Yellow
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水溶解性:
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Slightly soluble in hot concentrated sulfuric acid and hot conc. sodium hydroxide. Insoluble in water and dilute acids.
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晶体结构:
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Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc
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敏感性:
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Moisture Sensitive
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Merck:
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14,4351
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稳定性:
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Stability Store under dry argon. Water and moisture sensitive. Incompatible with strong oxidizing agents.
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InChI:
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InChI=1S/Ga.N
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InChIKey:
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JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N
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SMILES:
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N#[Ga]
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CAS 数据库:
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25617-97-4(CAS DataBase Reference)
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EPA化学物质信息:
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Gallium nitride (GaN) (25617-97-4)
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氮化镓性质、用途与生产工艺
第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为代表,是5G时代的主要材料,其中氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的市场和发展空间最大。
氮化镓作为第三代半导体材料,有更高的禁带宽度,是迄今理论上电光、光电转换效率最高的材料体系,下游应用包括微波射频器件(通信基站等),电力电子器件(电源等),光电器件(LED照明等)。不过,第三代半导体材料中,受技术与工艺水平限制,氮化镓材料作为衬底实现规模化应用仍面临挑战,其应用主要是以蓝宝石、硅晶片或碳化硅晶片为衬底,通过外延生长氮化镓以制造氮化镓器件。
实际上,氮化镓(GaN)技术并不是一种新的半导体技术,自1990年起就已经常被用在发光二极管中,但成本昂贵。从制造工艺上来说,氮化镓没有液态,不能使用单晶硅生产工艺的传统直拉法拉出单晶,需要纯靠气体反应合成,而氮气性质非常稳定,镓又是非常稀有的金属(镓是伴生矿,没有形成集中的镓矿,主要从铝土矿中提炼,成本比较高),而且两者反应时间长,速度慢,反应产生的副产物多。生产氮化镓对设备要求又苛刻,技术复杂,产能极低,众多因素叠加影响导致氮化镓单晶材料很贵。
类别
有毒物品
毒性分级
低毒
急性毒性
口服-小鼠LDL0: 10000 毫克/公斤; 腹腔-小鼠LDL0: 5000 毫克/公斤
储运特性
库房通风低温干燥
灭火剂
干粉、泡沫、砂土、二氧化碳, 雾状水
氮化镓
上下游产品信息
上游原料
下游产品
更新日期 | 产品编号 | 产品名称 | CAS编号 | 包装 | 价格 |
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2024/08/19 | 040218 | 氮化镓(III), 99.99% (metals basis) Gallium(III) nitride, 99.99% (metals basis) | 25617-97-4 | 10g | 3190元 |
2024/08/19 | 040218 | 氮化镓(III), 99.99% (metals basis) Gallium(III) nitride, 99.99% (metals basis) | 25617-97-4 | 50g | 14226元 |
氮化镓
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25617-97-4, 氮化镓 相关搜索:
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