氮化铟
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- CAS号:
- 25617-98-5
- 英文名:
- INDIUM NITRIDE
- 英文别名:
- INDIUM NITRIDE;Nitriloindium(III);Indium mononitride;indiumnitride(inn);azanylidyneindigane;INDIUM(III) NITRIDE;IndiuM nitride (III);INDIUM(III) NITRIDE, 99.9%;INDIUM NITRIDE ISO 9001：2015 REACH;Indium nitride, 99.8% (metals basis)
- 中文名:
- 氮化铟
- 中文别名:
- 氮化铟;一氮化铟;氮化铟(III);氮化铟,99.8%(METALSBASIS)
- CBNumber:
- CB5665547
- 分子式:
- InN
- 分子量:
- 128.82
- MOL File:
- 25617-98-5.mol
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氮化铟化学性质
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熔点:
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~1900°
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密度:
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6,88 g/cm3
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折射率:
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2.92
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形态:
-
hexagonal crystals
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颜色:
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brown hexagonal, hexane crystals, crystalline
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晶体结构:
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Hexagonal, Wurtzite (Zincite) Structure - Space Group P 63mc
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EPA化学物质信息:
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Indium nitride (InN) (25617-98-5)
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氮化铟性质、用途与生产工艺
氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等其它Ⅲ族氮化物更适合用于制备高频器件，在高频率、高速率晶体管的应用开发方面具有非常独特的优势，尤其在在制备太赫兹器件，化学传感器、半导体发光二极管、全光谱太阳能电池等光电器件领域具有巨大的应用价值。
步骤S1、提供一衬底，在所述衬底上沉积一层介电薄膜；
步骤S2、对所述介电薄膜进行图案化，得到均匀排列的多个介电凸台；
步骤S3、提供一反应室，将所述形成有介电凸台的衬底放入反应室中并将所述反应室抽真空；
步骤S4、在所述介电凸台及衬底上生长缓冲层，在介电凸台的阻挡下，所述缓冲层的横向生长与纵向生长产生差异，使得所述缓冲层在每一个介电凸台的上方对应形成一个凹槽；
步骤S5、在所述缓冲层上生长氮化铟，得到分别位于所述多个凹槽中的多个氮化铟柱，每一个凹槽中对应形成一个氮化铟柱。
氮化铟
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