硅颗粒
| 中文名称 | 硅颗粒 |
|---|---|
| 中文同义词 | 硅光学窗, 50.8MM (2.0IN) DIA X 1MM (0.04IN) THICK;硅光学窗, 25.4MM (1.0IN) DIA X 2MM (0.08IN) THICK;硅光学窗, 25.4MM (1.0IN) DIA X 1MM (0.04IN) THICK;硅光学窗, 50.8MM (2.0IN) 直径 X 1MM (0.04IN) 厚;硅片, <100MM 或更小, HIGH PURITY (WILL INCLUDE FINES);硅溅射靶, 76.2MM (3.0IN) DIA X 3.18MM (0.125IN) THICK, 99.;硅溅射靶, 76.2MM (3.0IN) DIA X 6.35MM (0.250IN) THICK, 99.;硅柱, 9.5MM (0.375IN) DIA X 9.5MM (0.375IN) LENGTH, 99.999 |
| 英文名称 | Silicon |
| 英文同义词 | PERCHLORATEE;Silicon Optical Window, 25.4mm (1.0 in.) dia. x 1mm (0.04 in.) thick, Uncoated, Clear Aperture 85%, Surface Finsh 40/20;Silicon standard solution, 1 mg/ml Si in 2% NaOH;Silicon plate, 6.35mm (0.25 in.) thick;Silicon Optical Window, 25.4mm (1.0 in.) dia. x 2mm (0.08 in.) thick, Uncoated, Clear Aperture 85%, Surface Finsh 40/20;Silicon rod, 2.5cm (0.98 in.) dia.;Silicon granular, Virgin poly fines;Silicon rod, 5.08cm (2.0 in.) dia. |
| CAS号 | 7440-21-3 |
| 分子式 | H4Si |
| 分子量 | 32.12 |
| EINECS号 | 231-130-8 |
| 相关类别 | 微生物;电子化学品;非金属;硅;镀膜材料;有机硅氧聚合物;Cu单质;无机化工产品;无机盐;类金属;化工原料;Pure ElementsMetal and Ceramic Science;Electronic Chemicals;SiliconNanomaterials;14: Si;Nanomaterials;Nanoparticles: Metals and Metal AlloysMetal and Ceramic Science;Nanopowders and Nanoparticle Dispersions;硅烷试剂;metal or element;分析标准品;粉体;标准品和标准物质;纳米粒子: 氧化物、氮化物和其他;无机单元素标准溶液;生化试剂;单质金属粉-硅粉;单质金属粉体-硅粉;硅化物-硅粉;金属粉末;无机粉体;非金属单质;硅化物;Inorganics;Electronic Materials;Materials Science;Micro/Nanoelectronics;Metal and Ceramic Science;Metals;Fine chemical |
| Mol文件 | 7440-21-3.mol |
| 结构式 |  |
硅颗粒 性质
| 熔点 | 1410 °C(lit.) |
|---|---|
| 沸点 | 2355 °C(lit.) |
| 堆积密度 | 0.07-0.08g/cm3 |
| 密度 | 2.33 g/mL at 25 °C(lit.) |
| 闪点 | 2.33 |
| 储存条件 | Flammables area |
| 溶解度 | 不溶于水、酸溶液；溶于碱性溶液 |
| 形态 | 粉末 |
| 比重 | 2.42 |
| 颜色 | 白色 |
| PH值 | 13.5 (H2O, 20°C) |
| 气味 (Odor) | 无味 |
| 水溶解性 | INSOLUBLE |
| 电导率 | 1000 S/m |
| 热导率 | 150 W/(m·K) |
| 半导体性质 | <111>P-type |
| 比热容 | Cp(crystal): 0.62 J/(g·K); Cp(gas): 0.69 J/(g·K), at 25℃ |
| 敏感性 | Air Sensitive |
| 晶体结构 | Cubic, Diamond Structure - Space Group Fd3m |
| Merck | 13,8565 |
| 暴露限值 | ACGIH TLV-TWA:2.5 mg/m3 OSHA PEL-TWA:15 mg/m³ (total dust),5 mg/m³ (respirable fraction) NIOSH REL-TWA:10 mg/m³ (total dust),5 mg/m³ (respirable fraction);REL-IDLH:250 mg/m3 |
| 介电常数 | 2.4(Ambient) |
| 稳定性 | 稳定的。细粉末高度易燃。与氧化剂、碱、碳酸盐、碱金属、铅和铝的氧化物、卤素、碳化物、甲酸不相容。 |
| 化妆品成分功效 | 磨料 |
| InChI | 1S/Si |
| InChIKey | BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N |
| SMILES | [Si] |
| Shear Modulus | 43.9 GPa, Calculated |
| Bulk Modulus | 98.74 GPa |
| Hardness, Mohs | 7.0 |
| Modulus of Elasticity | 112.4 GPa |
| Poissons Ratio | 0.28 |
| Knoop Microhardness | 11270, N/mm2 Microhardness |
| CAS 数据库 | 7440-21-3(CAS DataBase Reference) |
| NIST化学物质信息 | Silicon(7440-21-3) |
| EPA化学物质信息 | Silicon (7440-21-3) |
棒状硅和硅颗粒是多晶硅原材料里常见的类型。硅颗粒是光伏硅料环节的新一代技术，生产工艺为硅烷流化床法；圆圆的小颗粒，散发金属光泽，主要成分是硅元素，直径在 2mm 左右，大小近似绿豆，纯度可达 6N。
1、硅颗粒表面积大于棒状硅，更容易吸附产生表面污染；
2、硅颗粒在运输过程中，容易相互摩擦形成硅粉，不利于后续投入生产；
3、硅颗粒表面存在氢键，熔化时产生氢气易引起跳料。
因此目前颗粒硅多作为降低成本的辅料，与棒状硅掺杂使用
在硅烷流化床法生产多晶硅过程中，硅烷与氢气的混合气体以一定速度从流化床反应器底部通入，高纯晶种从反应器上部加入作为沉积载体并处于流化状态，在一定高温下通过硅烷发生气相沉积反应生成硅单质，在高纯晶种表面沉积，使高纯晶种逐渐长大并排出流化床形成硅颗粒产品。安全信息
| 危险品标志 | T,F |
|---|---|
| 危险类别码 | 11 |
| 安全说明 | 26-36/37-45-7/9-33-16-36 |
| 职业暴露等级 | B |
| 职业暴露限值 | TWA: 10 mg/m3 (total) |
| 危险品运输编号 | UN 1346 |
| WGK Germany | 2 |
| RTECS号 | VW0400000 |
| 自燃温度 | 780°C |
| TSCA | TSCA listed |
| 海关编码 | 3822 00 00 |
| 危险等级 | 4.1 |
| 包装类别 | III |
| 存储类别 | 4.1B - 易燃固体危险物质 |
| 危险性类别 | 易燃固体 类别2 |
| 毒害物质数据 | 7440-21-3(Hazardous Substances Data) |
| 提供商 | 语言 |
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