背景及概述[1]
三甲基铟在常温常压下为无色透明、具有特殊臭味的升华性针状结晶。三甲基铟在空气中自燃，遇水分解出甲烷气体。三甲基铟与乙烷、庚烷等脂肪族饱和烃及甲苯、二甲苯等芳香族烃可以任意比例相溶，最高允许浓度0.1mg/m3。采用碘甲烷与铟镁合金在(C2H5)2O存在下生成In(CH3)2，再经蒸馏、物理和化学方法可纯化得99.999%产品。本品可用于MOCVD及有机合成中。
高纯三甲基铟广泛应用于生长半导体薄膜材料，是金属有机化学气相沉积技术(MOCVD)、化学束外延(CBE)过程中生长光电子材料的重要原料。
制备[2]
步骤一、
将100g粒径为1000目的硅胶粉分散于浓度为1mol/L的盐酸水溶液中，在80℃的条件下酸化处理15h，冷却至40℃，加入5gγ-氨丙基三乙氧基硅烷继续搅拌12h，然后加入10g三正辛胺，搅拌8h，过滤后即可得到接枝二氧化硅。将得到的接枝二氧化硅装入层析柱(内径为10mm)中，加压保证填充均匀，然后加入正己烷进行冲洗，冲洗干净后即可得到层析柱。将100g粒径为400目的硅胶粉装入层析柱(内径为10mm)中，加压保证填充均匀，即可得到第二层析柱。
步骤二、
以CH3MgX和InX3(X为I或Br)为原料，以乙醚为溶剂，合成反应后经过粗提得到纯度为85.0％的三甲基铟。以该三甲基铟粗品进行包括以下步骤的提纯操作。
步骤2.1：把该三甲基铟倒入步骤一制备的第二层析柱中，依靠重力自然下流，待液体流完，收集溶液。
步骤2.2：将步骤2.1收集的溶液全部倒入步骤一制备的层析柱中，依靠重力自然下流，待液体流完收集溶液；再把收集的溶液全部倒入该层析柱中，重复步骤2的前述操作6次；
步骤2.3：对经过步骤2.2处理后的层析柱进行加热解配，加热温度为105℃，并在层析柱底部以真空泵抽真空为动力，收集解配的三甲基铟即可。
对步骤2.3得到的三甲基铟进行ICP-OES和NMR分析，可以确认收集到的三甲基铟的纯度为99.9999％(6N)。
参考文献
[1]精细化工辞典
[2][中国发明,中国发明授权]CN201510239288.2高纯三甲基铟的制备方法