SiC晶须
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- CAS号:
- 409-21-2
- 英文名:
- Silicon carbide
- 英文别名:
- SiC;nanopowder;BLACK SILICON CARBIDE;CARBORUNDUM;Simax;BOILING CHIPS;Silicon carbid;SILICON CARBIDE BLACK;ua1;ua2
- 中文名:
- SiC晶须
- 中文别名:
- 碳化硅;碳化矽;碳化硅粉;硅碳化物;耐火砂;碳化硅靶材;纳米碳化硅;碳化硅微粉;针形碳化硅;碳化硅粉末
- CBNumber:
- CB00135993
- 分子式:
- CSi
- 分子量:
- 40.1
- MOL File:
- 409-21-2.mol
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SiC晶须化学性质
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熔点:
-
2700 °C (lit.)
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密度:
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3.22 g/mL at 25 °C (lit.)
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折射率:
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2.6500
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溶解度:
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Soluble in molten sodium hydroxide, potassium hydroxide and in molten iron.
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形态:
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nanopowder
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颜色:
-
Green
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比重:
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3.22
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电阻率 (resistivity):
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107–200 (ρ/μΩ.cm)
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水溶解性:
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Soluble in molten alkalis (NaOH, KOH) and molten iron. Insoluble in water.
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晶体结构:
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Cubic, Sphalerite Structure - Space Group F(-4)3m
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水解敏感性:
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1: no significant reaction with aqueous systems
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Merck:
-
14,8492
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暴露限值:
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ACGIH: TWA 10 mg/m3; TWA 3 mg/m3; TWA 0.1 fiber/cm3
OSHA: TWA 15 mg/m3; TWA 5 mg/m3 NIOSH: TWA 10 mg/m3; TWA 5 mg/m3-
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稳定性:
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Stability
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InChIKey:
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HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N
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(IARC)致癌物分类:
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2A (Vol. 111) 2017
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NIST化学物质信息:
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Silicon monocarbide(409-21-2)
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EPA化学物质信息:
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Silicon carbide (409-21-2)
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SiC晶须性质、用途与生产工艺
SiC 晶须(SiCw)是一种直径为纳米级至微米级的具有高度取向性的单晶纤维,晶体结构与金刚石相类似,晶体内化学杂质少,无晶粒边界,晶体结构缺陷少,结晶相成分均一。其具有高熔点、低密度、高强度、高弹性模量、低热膨胀率以及耐磨、耐腐蚀、抗高温氧化能力强等特性。主要用于需要高温高强应用材质的增韧场合。
SiC晶须已广泛用于增韧金属基、陶瓷基和聚合物基复合材料。
(1)SiCw增韧金属基复合材料具有轻质、高强度、耐热、低的热膨胀系数、脱气性好等优点,广泛应用于航空航天和军事领域,如飞机蒙皮、翼面、垂尾、导弹、超轻空间望远镜等;还可用于汽车、机械等部件及体育运动器材等。
(2)SiCw增韧陶瓷基复合材料主要有Al2O3、ZrO2、莫来石陶瓷等,随着复合技术的不断成熟,又出现了SiCw增韧Si3N4、ZrB2以及玻璃陶瓷等复合材料。适用于制造各种用途的碳化硅磨具和陶瓷窑具以及耐火材料等。
(3)SiCw增韧聚合物复合材料:SiCw作为聚合物材料的增韧补强剂时既不增加熔体粘度,又能显著提高材料的韧性和延伸率,可用于制备形状复杂、精度高、表面光洁度高的零部件。
SiC晶须可以通过以下几个途径合成:
(1)化学气相沉积法:合成SiCw的气相反应法中化学气相沉积法是使用最为广泛的,而且用这个方法制备出的SiC纯度非常得高。此法是通过H,等载气把反应物带入反应室中的,然后在过渡金属的催化作用下,在石墨、单晶硅、碳化硅基体上生成SiCw。
(2)CVD法:以有机硅化物为原料,如以Si(CH)CICH SiCl,等为反应物,加热至1100-1500℃使之发生热分解或者用氢还原反应物来制备SiCw。
(3)电弧放电法:以含催化剂(铁)的碳化硅棒为阳极,以石墨为阴极,在低气压下发生电弧放电反应合成SiCw。用这种方法生成的SiCw,直径一般在20-60nm之间,表面很光滑,而且在SiCw的顶端还有Fe纳米粒子的存在。此法所用到的原料都很常见而且设备简单、成本也不高,有大批量生产SiCw的潜力。
SiC晶须
上下游产品信息
上游原料
下游产品
更新日期 | 产品编号 | 产品名称 | CAS编号 | 包装 | 价格 |
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2024/01/19 | 036265 | 碳化硅, 99.5% (metals basis) Silicon carbide, 99.5% (metals basis) | 409-21-2 | 10g | 267元 |
2024/01/19 | 036265 | 碳化硅, 99.5% (metals basis) Silicon carbide, 99.5% (metals basis) | 409-21-2 | 50g | 1335元 |
SiC晶须
生产厂家
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