高纯碳化硅 MSDSSilicon carbide
碳化硅作为第三代半导体的代表材料之一,适合于制作高温、高频、抗辐射、大功率和高密度集成的电子器件。杂质含有率为500ppm以下的高纯碳化硅粉末,被广泛用作抛光或磨削材、陶瓷烧结体和导电性材料等工业用材料。
1.对高纯碳化硅粉体合成工艺的机理进行深入研究,特别是加强对粉体粒度、形状、粒径分布以及纯度等参数进行有效控制的基础理论研究。
2.进一步加强对改进自蔓延法合成碳化硅粉体的具体工艺的研究,以期在低成本和工序简单的基础上,制备出质量优良和纯度较高的适合于单晶碳化硅生长的高纯碳化硅粉体,从而有效提高碳化硅单晶衬底生长质量,推动我国碳化硅基器件产业的发展。